• Производитель
  • Тип диода
  • Тип корпуса
    • Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 184
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Скорость
Ток утечки
Емкость @ Vr, F
Прямое напряжение
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
Конфигурация диода
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
G3S12010BM SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P Global Power Technology-GPT TO-247-3 Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-247AB No Recovery Time > 500mA (Io) 50µA @ 1200V 1.7V @ 5A 1200V 0ns -55°C ~ 175°C 1 Pair Common Cathode 19.8A (DC)
G5S06510DT SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A 2-PI Global Power Technology-GPT TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 38A (DC) Silicon Carbide Schottky Surface Mount TO-263 No Recovery Time > 500mA (Io) 50µA @ 650V 645pF @ 0V, 1MHz 1.5V @ 10A 650V 0ns -55°C ~ 175°C
G3S06508H SIC SCHOTTKY DIODE 650V 8A 2-PIN Global Power Technology-GPT TO-220-2 Full Pack 14A (DC) Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-220F No Recovery Time > 500mA (Io) 50µA @ 650V 550pF @ 0V, 1MHz 1.7V @ 8A 650V 0ns -55°C ~ 175°C
G5S12040B SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 40A 3-P Global Power Technology-GPT TO-247-3 Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-247AB No Recovery Time > 500mA (Io) 50µA @ 1200V 1.7V @ 20A 1200V 0ns -55°C ~ 175°C 1 Pair Common Cathode 62A (DC)
G3S12005C SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 5A 2-PI Global Power Technology-GPT TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 34A (DC) Silicon Carbide Schottky Surface Mount TO-252 No Recovery Time > 500mA (Io) 50µA @ 1200V 475pF @ 0V, 1MHz 1.7V @ 5A 1200V 0ns -55°C ~ 175°C
GAS06520P SIC SCHOTTKY DIODE 650V 20A 2-PI Global Power Technology-GPT TO-247-2 66.5A (DC) Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-247AC No Recovery Time > 500mA (Io) 50µA @ 650V 1390pF @ 0V, 1MHz 1.7V @ 20A 650V 0ns -55°C ~ 175°C
G5S06505HT SIC SCHOTTKY DIODE 650V 5A 2-PIN Global Power Technology-GPT TO-220-2 Full Pack 18.5A (DC) Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-220F No Recovery Time > 500mA (Io) 50µA @ 650V 395pF @ 0V, 1MHz 1.5V @ 5A 650V 0ns -55°C ~ 175°C
G4S06520BT SIC SCHOTTKY DIODE 650V 20A 3-PI Global Power Technology-GPT TO-247-3 Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-247AB No Recovery Time > 500mA (Io) 50µA @ 650V 1.7V @ 10A 650V 0ns -55°C ~ 175°C 1 Pair Common Cathode 31.2A (DC)
G5S06508CT SIC SCHOTTKY DIODE 650V 8A 2-PIN Global Power Technology-GPT TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 31A (DC) Silicon Carbide Schottky Surface Mount TO-252 No Recovery Time > 500mA (Io) 50µA @ 650V 550pF @ 0V, 1MHz 1.5V @ 8A 650V 0ns -55°C ~ 175°C
G3S12010M SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 2-P Global Power Technology-GPT TO-220-2 Full Pack 23.5A (DC) Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-220F No Recovery Time > 500mA (Io) 50µA @ 1200V 765pF @ 0V, 1MHz 1.7V @ 10A 1200V 0ns -55°C ~ 175°C
G3S12006B SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 6A 3-PI Global Power Technology-GPT TO-247-3 Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-247AB No Recovery Time > 500mA (Io) 100µA @ 1200V 1.7V @ 3A 1200V 0ns -55°C ~ 175°C 1 Pair Common Cathode 14A (DC)
G3S06540B SIC SCHOTTKY DIODE 650V 40A 3-PI Global Power Technology-GPT TO-247-3 Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-247AB No Recovery Time > 500mA (Io) 50µA @ 650V 1.7V @ 20A 650V 0ns -55°C ~ 175°C 1 Pair Common Cathode 60A (DC)
G3S12010B SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P Global Power Technology-GPT TO-247-3 Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-247AB No Recovery Time > 500mA (Io) 50µA @ 1200V 1.7V @ 5A 1200V 0ns -55°C ~ 175°C 1 Pair Common Cathode 39A (DC)
G3S12030B SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 30A 3-P Global Power Technology-GPT TO-247-3 Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-247AB No Recovery Time > 500mA (Io) 50µA @ 1200V 1.7V @ 15A 1200V 0ns -55°C ~ 175°C 1 Pair Common Cathode 42A (DC)
G5S06505AT SIC SCHOTTKY DIODE 650V 5A 2-PIN Global Power Technology-GPT TO-220-2 24.5A (DC) Silicon Carbide Schottky Through Hole TO-220AC No Recovery Time > 500mA (Io) 50µA @ 650V 395pF @ 0V, 1MHz 1.5V @ 5A 650V 0ns -55°C ~ 175°C
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100