-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GE10MPS06A | 650V 10A TO-220-2 SIC SCHOTTKY M | GeneSiC Semiconductor | TO-220-2 | 19A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 466pF @ 1V, 1MHz | 650V | -55°C ~ 175°C | SiC Schottky MPS™ | |||
| GB10SLT12-220 | DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220AC | GeneSiC Semiconductor | TO-220-2 | 10A | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 40µA @ 1200V | 520pF @ 1V, 1MHz | 1.8V @ 10A | 1200V | 0ns | -55°C ~ 175°C |
- 10
- 15
- 50
- 100