Найдено: 86
  • DIODE SCHOTTKY 100V 60A SOT227
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 100V
    • Прямое напряжение: 840mV @ 30A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 1mA @ 100V
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 150°C
    • Конфигурация диода: 2 Independent
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 60A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 80V 160A SOT227
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 80V
    • Прямое напряжение: 840mV @ 160A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 1mA @ 80V
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 150°C
    • Конфигурация диода: 2 Independent
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 160A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE MOD SCHOT 650V 209A SOT227
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Серия: SiC Schottky MPS™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
    • Прямое напряжение: 1.8V @ 50A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 20µA @ 650V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    • Конфигурация диода: 2 Independent
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 209A (DC)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 1200V 30A SOT227
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
    • Прямое напряжение: 2.35V @ 30A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 85ns
    • Ток утечки: 25µA @ 1200V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
    • Конфигурация диода: 2 Independent
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 30A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 650V 120A SOT-227 SIC SCHOTTKY
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Серия: SiC Schottky MPS™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
    • Прямое напряжение: 1.8V @ 60A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 10µA @ 650V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    • Конфигурация диода: 2 Independent
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 70A (DC)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 45V 50A SOT227
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 45V
    • Прямое напряжение: 700mV @ 50A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 1mA @ 45V
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 150°C
    • Конфигурация диода: 2 Independent
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 50A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 1KV 60A SOT227
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1000V
    • Прямое напряжение: 2.35V @ 60A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 25µA @ 1000V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    • Конфигурация диода: 2 Independent
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 60A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 1200V 60A SOT-227 SIC SCHOTTKY M
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Серия: SiC Schottky MPS™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    • Конфигурация диода: 2 Independent
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 52A (DC)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 400V 120A SOT227
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 400V
    • Прямое напряжение: 1.3V @ 120A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 25µA @ 400V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    • Конфигурация диода: 2 Independent
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 120A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 200V 120A SOT227
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
    • Прямое напряжение: 920mV @ 120A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 3mA @ 200V
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 150°C
    • Конфигурация диода: 2 Independent
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 120A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 100V 50A SOT227
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 100V
    • Прямое напряжение: 840mV @ 50A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 1mA @ 100V
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 150°C
    • Конфигурация диода: 2 Independent
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 50A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 180V 160A SOT227
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 180V
    • Прямое напряжение: 920mV @ 160A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 3mA @ 180V
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 150°C
    • Конфигурация диода: 2 Independent
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 160A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 200V 100A SOT227
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
    • Прямое напряжение: 920mV @ 100A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 3mA @ 200V
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 150°C
    • Конфигурация диода: 2 Independent
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 100A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 180V 120A SOT227
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 180V
    • Прямое напряжение: 920mV @ 120A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 3mA @ 180V
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 150°C
    • Конфигурация диода: 2 Independent
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 120A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 120V 100A SOT227
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 120V
    • Прямое напряжение: 880mV @ 100A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 3mA @ 120V
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 150°C
    • Конфигурация диода: 2 Independent
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 100A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: