-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Обратное пиковое напряжение
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Ток утечки
|
Прямое напряжение
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GBU10B | BRIDGE RECT 1PHASE 100V 10A GBU | GeneSiC Semiconductor | 4-SIP, GBU | 100V | 10A | Single Phase | Through Hole | GBU | Standard | -55°C ~ 150°C (TJ) | 5µA @ 50V | 1.1V @ 10A |
| GBU4J | BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBU | GeneSiC Semiconductor | 4-SIP, GBU | 600V | 4A | Single Phase | Through Hole | GBU | Standard | -55°C ~ 150°C (TJ) | 5µA @ 600V | 1.1V @ 4A |
| GBU15B | BRIDGE RECT 1PHASE 100V 15A GBU | GeneSiC Semiconductor | 4-SIP, GBU | 100V | 15A | Single Phase | Through Hole | GBU | Standard | -55°C ~ 150°C (TJ) | 5µA @ 100V | 1.1V @ 15A |
| GBU15K | BRIDGE RECT 1PHASE 800V 15A GBU | GeneSiC Semiconductor | 4-SIP, GBU | 800V | 15A | Single Phase | Through Hole | GBU | Standard | -55°C ~ 150°C (TJ) | 5µA @ 800V | 1.1V @ 15A |
| GBU10A | BRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A GBU | GeneSiC Semiconductor | 4-SIP, GBU | 50V | 10A | Single Phase | Through Hole | GBU | Standard | -55°C ~ 150°C (TJ) | 5µA @ 50V | 1.1V @ 10A |
- 10
- 15
- 50
- 100