• Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 175
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Скорость
Ток утечки
Прямое напряжение
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
1N5831R DIODE SCHOTTKY REV 35V DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 25A Schottky, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 2mA @ 20V 580mV @ 25A 35V -55°C ~ 150°C
1N3890 DIODE GEN PURP 100V 12A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 12A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 50V 1.4V @ 12A 100V 200ns -65°C ~ 150°C
S12Q DIODE GEN PURP 1200V 12A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 12A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 50V 1.1V @ 12A 1200V -65°C ~ 175°C
FR6BR02 DIODE GEN PURP REV 100V 6A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 6A Standard, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 50V 1.4V @ 6A 100V 200ns -65°C ~ 150°C
FR16B02 DIODE GEN PURP 100V 16A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 16A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 100V 900mV @ 16A 100V 200ns -65°C ~ 150°C
1N3890R DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 12A Standard, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 50V 1.4V @ 12A 100V 200ns -65°C ~ 150°C
MBR3545R DIODE SCHOTTKY REV 45V DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 35A Schottky, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1.5mA @ 20V 680mV @ 35A 45V -55°C ~ 150°C
FR16MR05 DIODE GEN PURP REV 1KV 16A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 16A Standard, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 100V 1.1V @ 16A 1000V 500ns -65°C ~ 150°C
FR16J02 DIODE GEN PURP 600V 16A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 16A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 100V 900mV @ 16A 600V 250ns -65°C ~ 150°C
1N3883 DIODE GEN PURP 400V 6A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 6A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 15µA @ 50V 1.4V @ 6A 400V 200ns -65°C ~ 150°C
S6D DIODE GEN PURP 200V 6A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 6A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 100V 1.1V @ 6A 200V -65°C ~ 175°C
MUR2540R DIODE GEN PURP REV 400V 25A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 25A Standard, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 50V 1.3V @ 25A 400V 75ns -55°C ~ 150°C
FR16BR02 DIODE GEN PURP REV 100V 16A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 16A Standard, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 100V 900mV @ 16A 100V 200ns -65°C ~ 150°C
1N3893 DIODE GEN PURP 600V 12A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 12A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 50V 1.4V @ 12A 600V 200ns -65°C ~ 150°C
MUR2505 DIODE GEN PURP 50V 25A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 25A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 50V 1V @ 25A 50V 75ns -55°C ~ 150°C
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100