• Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 175
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Скорость
Ток утечки
Прямое напряжение
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
1N5830 DIODE SCHOTTKY 25V 25A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 25A Schottky Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 2mA @ 20V 580mV @ 25A 25V -55°C ~ 150°C
S12BR DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 12A Standard, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 50V 1.1V @ 12A 100V -65°C ~ 175°C
1N3891 DIODE GEN PURP 200V 12A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 12A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 50V 1.4V @ 12A 200V 200ns -65°C ~ 150°C
1N3879R DIODE GEN PURP REV 50V 6A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 6A Standard, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 15µA @ 50V 1.4V @ 6A 50V 200ns -65°C ~ 150°C
FR12JR02 DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 12A Standard, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 100V 800mV @ 12A 600V 250ns -65°C ~ 150°C
S6M DIODE GEN PURP 1KV 6A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 6A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 100V 1.1V @ 6A 1000V -65°C ~ 175°C
FR12DR05 DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 12A Standard, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 100V 800mV @ 12A 200V 500ns -65°C ~ 150°C
MBR3520 DIODE SCHOTTKY 20V 35A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 35A Schottky Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1.5mA @ 20V 680mV @ 35A 20V -55°C ~ 150°C
FR12K05 DIODE GEN PURP 800V 12A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 12A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 100V 800mV @ 12A 800V 500ns -65°C ~ 150°C
FR6AR02 DIODE GEN PURP REV 50V 6A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 6A Standard, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 50V 1.4V @ 6A 50V 200ns -65°C ~ 150°C
1N1200A DIODE GEN PURP 100V 12A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 12A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 50V 1.1V @ 12A 100V -65°C ~ 200°C
FR6GR02 DIODE GEN PURP REV 400V 6A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 6A Standard, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 50V 1.4V @ 6A 400V 200ns -65°C ~ 150°C
FR6KR05 DIODE GEN PURP REV 800V 6A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 6A Standard, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 50V 1.4V @ 6A 800V 500ns -65°C ~ 150°C
1N3893R DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 12A Standard, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 50V 1.4V @ 12A 600V 200ns -65°C ~ 150°C
FR16B05 DIODE GEN PURP 100V 16A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 16A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 100V 1.4V @ 16A 100V 500ns -65°C ~ 150°C
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100