• Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 175
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Скорость
Ток утечки
Прямое напряжение
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
SD4145 DIODE SCHOTTKY 45V 30A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 30A Schottky Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1.5mA @ 35V 680mV @ 30A 45V -55°C ~ 150°C
FR16D02 DIODE GEN PURP 200V 16A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 16A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 100V 900mV @ 16A 200V 200ns -65°C ~ 150°C
1N3671A DIODE GEN PURP 800V 12A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 12A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 50V 1.1V @ 12A 800V -65°C ~ 200°C
GKR26/14 DIODE GEN PURP 1.4KV 25A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 25A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 4mA @ 1400V 1.55V @ 60A 1400V -40°C ~ 180°C
S6KR DIODE GEN PURP REV 800V 6A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 6A Standard, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 100V 1.1V @ 6A 800V -65°C ~ 175°C
MBR3580 DIODE SCHOTTKY 80V 35A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 35A Schottky Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1.5mA @ 20V 840mV @ 35A 80V -55°C ~ 150°C
1N3882 DIODE GEN PURP 300V 6A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 6A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 15µA @ 50V 1.4V @ 6A 300V 200ns -65°C ~ 150°C
FR12B05 DIODE GEN PURP 100V 12A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 12A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 100V 800mV @ 12A 100V 500ns -65°C ~ 150°C
FR6M05 DIODE GEN PURP 1KV 6A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 6A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 50V 1.4V @ 6A 1000V 500ns -65°C ~ 150°C
MUR2560R DIODE GEN PURP REV 600V 25A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 25A Standard, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 50V 1.7V @ 25A 600V 90ns -55°C ~ 150°C
FR16DR05 DIODE GEN PURP REV 200V 16A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 16A Standard, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 100V 1.1V @ 16A 200V 500ns -65°C ~ 150°C
1N5831 DIODE SCHOTTKY 35V 25A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 25A Schottky Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 2mA @ 20V 580mV @ 25A 35V -55°C ~ 150°C
FR16JR02 DIODE GEN PURP REV 600V 16A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 16A Standard, Reverse Polarity Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 100V 900mV @ 16A 600V 250ns -65°C ~ 150°C
MBR3540 DIODE SCHOTTKY 40V 35A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 35A Schottky Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1.5mA @ 20V 680mV @ 35A 40V -55°C ~ 150°C
FR6D02 DIODE GEN PURP 200V 6A DO4 GeneSiC Semiconductor DO-203AA, DO-4, Stud 6A Standard Chassis, Stud Mount DO-4 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 25µA @ 50V 1.4V @ 6A 200V 200ns -65°C ~ 150°C
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100