• Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 175
  • 1N5829
    DIODE SCHOTTKY 20V 25A DO4
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
    • Тип корпуса: DO-4
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 20V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 25A
    • Прямое напряжение: 580mV @ 25A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 2mA @ 20V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FR12D05
    DIODE GEN PURP 200V 12A DO4
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
    • Тип корпуса: DO-4
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 12A
    • Прямое напряжение: 800mV @ 12A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 500ns
    • Ток утечки: 25µA @ 100V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MBR3560R
    DIODE SCHOTTKY REV 60V DO4
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
    • Тип корпуса: DO-4
    • Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 60V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 35A
    • Прямое напряжение: 750mV @ 35A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 1.5mA @ 20V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MBR3545
    DIODE SCHOTTKY 45V 35A DO4
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
    • Тип корпуса: DO-4
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 45V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 35A
    • Прямое напряжение: 680mV @ 35A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 1.5mA @ 20V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FR16J05
    DIODE GEN PURP 600V 16A DO4
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
    • Тип корпуса: DO-4
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 16A
    • Прямое напряжение: 1.1V @ 16A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 500ns
    • Ток утечки: 25µA @ 100V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 1N1206A
    DIODE GEN PURP 600V 12A DO4
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
    • Тип корпуса: DO-4
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 12A
    • Прямое напряжение: 1.1V @ 12A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 10µA @ 50V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 200°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 1N6096R
    DIODE SCHOTTKY REV 40V DO4
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
    • Тип корпуса: DO-4
    • Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 40V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 25A
    • Прямое напряжение: 580mV @ 25A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 2mA @ 20V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 1N1199AR
    DIODE GEN PURP REV 50V 12A DO4
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
    • Тип корпуса: DO-4
    • Тип диода: Standard, Reverse Polarity
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 50V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 12A
    • Прямое напряжение: 1.1V @ 12A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 10µA @ 50V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 200°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SD41
    DIODE SCHOTTKY 35V 30A DO4
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
    • Тип корпуса: DO-4
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 35V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 30A
    • Прямое напряжение: 680mV @ 30A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 1.5mA @ 35V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FR12DR02
    DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
    • Тип корпуса: DO-4
    • Тип диода: Standard, Reverse Polarity
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 12A
    • Прямое напряжение: 800mV @ 12A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 200ns
    • Ток утечки: 25µA @ 100V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 1N1204A
    DIODE GEN PURP 400V 12A DO4
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
    • Тип корпуса: DO-4
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 400V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 12A
    • Прямое напряжение: 1.1V @ 12A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 10µA @ 50V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 200°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FR6A05
    DIODE GEN PURP 50V 16A DO4
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
    • Тип корпуса: DO-4
    • Тип диода: Standard
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 50V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 16A
    • Прямое напряжение: 1.4V @ 6A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 500ns
    • Ток утечки: 25µA @ 50V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MBR3560
    DIODE SCHOTTKY 60V 35A DO4
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
    • Тип корпуса: DO-4
    • Тип диода: Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 60V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 35A
    • Прямое напряжение: 750mV @ 35A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 1.5mA @ 20V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 1N3883R
    DIODE GEN PURP REV 400V 6A DO4
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
    • Тип корпуса: DO-4
    • Тип диода: Standard, Reverse Polarity
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 400V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 6A
    • Прямое напряжение: 1.4V @ 6A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 200ns
    • Ток утечки: 15µA @ 50V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • S12QR
    DIODE GEN PURP REV 1.2KV 12A DO4
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
    • Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
    • Тип корпуса: DO-4
    • Тип диода: Standard, Reverse Polarity
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 12A
    • Прямое напряжение: 1.1V @ 12A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 10µA @ 50V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100