-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Обратное пиковое напряжение
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Ток утечки
|
Прямое напряжение
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BR64 | BRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A BR-6 | GeneSiC Semiconductor | 4-Square, BR-6 | 400V | 6A | Single Phase | Through Hole | BR-6 | Standard | -65°C ~ 125°C (TJ) | 10µA @ 400V | 1V @ 3A |
BR62 | BRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A BR-6 | GeneSiC Semiconductor | 4-Square, BR-6 | 200V | 6A | Single Phase | Through Hole | BR-6 | Standard | -65°C ~ 125°C (TJ) | 10µA @ 200V | 1V @ 3A |
BR68 | BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A BR-6 | GeneSiC Semiconductor | 4-Square, BR-6 | 800V | 6A | Single Phase | Through Hole | BR-6 | Standard | -65°C ~ 125°C (TJ) | 10µA @ 800V | 1V @ 3A |
BR66 | BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A BR-6 | GeneSiC Semiconductor | 4-Square, BR-6 | 600V | 6A | Single Phase | Through Hole | BR-6 | Standard | -65°C ~ 125°C (TJ) | 10µA @ 600V | 1V @ 3A |
BR610 | BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A BR-6 | GeneSiC Semiconductor | 4-Square, BR-6 | 1kV | 6A | Single Phase | Through Hole | BR-6 | Standard | -65°C ~ 125°C (TJ) | 10µA @ 1000V | 1V @ 3A |
BR605 | BRIDGE RECT 1PHASE 50V 6A BR-6 | GeneSiC Semiconductor | 4-Square, BR-6 | 50V | 6A | Single Phase | Through Hole | BR-6 | Standard | -65°C ~ 125°C (TJ) | 10µA @ 50V | 1V @ 3A |
BR61 | BRIDGE RECT 1PHASE 100V 6A BR-6 | GeneSiC Semiconductor | 4-Square, BR-6 | 100V | 6A | Single Phase | Through Hole | BR-6 | Standard | -65°C ~ 125°C (TJ) | 10µA @ 100V | 1V @ 3A |
- 10
- 15
- 50
- 100