- Производитель
- Тип диода
- Тип корпуса
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Обратное пиковое напряжение
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Ток, макс.
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
Конфигурация диода
|
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
|
Серия
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
KBPC5002W | BRIDGE RECT 1P 200V 50A KBPC-W | GeneSiC Semiconductor | 4-Square, KBPC-W | 200V | 50A | Single Phase | Through Hole | KBPC-W | Standard | -55°C ~ 150°C (TJ) | 5µA @ 200V | 1.1V @ 25A | |||||||||
MBR300100CT | DIODE MODULE 100V 150A 2TOWER | GeneSiC Semiconductor | Twin Tower | Schottky | Chassis Mount | Twin Tower | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 8mA @ 20V | 840mV @ 150A | 100V | -55°C ~ 150°C | 1 Pair Common Cathode | 150A | ||||||||
MUR30020CTR | DIODE MODULE 200V 150A 2TOWER | GeneSiC Semiconductor | Twin Tower | Standard | Chassis Mount | Twin Tower | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 25µA @ 50V | 1.3V @ 100A | 200V | 90ns | -55°C ~ 150°C | 1 Pair Common Anode | 150A | |||||||
MBRF60020 | DIODE SCHOTTKY 20V 300A TO244AB | GeneSiC Semiconductor | TO-244AB | Schottky | Chassis Mount | TO-244AB | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 10mA @ 20V | 650mV @ 300A | 20V | -40°C ~ 175°C | 1 Pair Common Cathode | 300A | ||||||||
MBR12020CTR | DIODE MODULE 20V 120A 2TOWER | GeneSiC Semiconductor | Twin Tower | Schottky | Chassis Mount | Twin Tower | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 3mA @ 20V | 650mV @ 120A | 20V | -55°C ~ 150°C | 1 Pair Common Anode | 120A (DC) | ||||||||
MBRF12080 | DIODE SCHOTTKY 80V 60A TO244AB | GeneSiC Semiconductor | TO-244AB | Schottky | Chassis Mount | TO-244AB | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1mA @ 80V | 840mV @ 60A | 80V | -55°C ~ 150°C | 1 Pair Common Cathode | 60A | ||||||||
FST100100 | DIODE MODULE 100V 100A TO249AB | GeneSiC Semiconductor | TO-249AB | Schottky | Chassis Mount | TO-249AB | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 2mA @ 20V | 840mV @ 100A | 100V | 1 Pair Common Cathode | 100A | |||||||||
M3P75A-40 | BRIDGE RECT 3P 400V 75A MODULE | GeneSiC Semiconductor | Module | 400V | 75A | Three Phase | Chassis Mount | Module | Standard | 10µA @ 400V | |||||||||||
MURF10040R | DIODE MODULE 400V 50A TO244AB | GeneSiC Semiconductor | TO-244AB | Standard | Chassis Mount | TO-244AB | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 25µA @ 50V | 1.3V @ 50A | 400V | 75ns | -55°C ~ 150°C | 1 Pair Common Anode | 50A | |||||||
1N3295A | DIODE GEN PURP 1KV 100A DO205 | GeneSiC Semiconductor | DO-205AA, DO-8, Stud | 100A | Standard | Chassis, Stud Mount | DO-205AA (DO-8) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 11mA @ 1000V | 1.5V @ 100A | 1000V | -40°C ~ 200°C | |||||||||
MBRF20035 | DIODE SCHOTTKY 35V 100A TO244AB | GeneSiC Semiconductor | TO-244AB | Schottky | Chassis Mount | TO-244AB | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1mA @ 35V | 700mV @ 100A | 35V | -55°C ~ 150°C | 1 Pair Common Cathode | 100A | ||||||||
MBRF600100 | DIODE SCHOTTKY 100V 250A TO244AB | GeneSiC Semiconductor | TO-244AB | Schottky | Chassis Mount | TO-244AB | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1mA @ 100V | 840mV @ 250A | 100V | -55°C ~ 150°C | 1 Pair Common Cathode | 250A | ||||||||
FR12J05 | DIODE GEN PURP 600V 12A DO4 | GeneSiC Semiconductor | DO-203AA, DO-4, Stud | 12A | Standard | Chassis, Stud Mount | DO-4 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 25µA @ 100V | 800mV @ 12A | 600V | 500ns | -65°C ~ 150°C | ||||||||
MBRT60020L | DIODE SCHOTTKY 20V 300A 3 TOWER | GeneSiC Semiconductor | Three Tower | Schottky | Chassis Mount | Three Tower | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 3mA @ 20V | 580mV @ 300A | 20V | -55°C ~ 150°C | 1 Pair Common Cathode | 300A | ||||||||
KBPM201G | BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A KBPM | GeneSiC Semiconductor | 4-SIP, KBPM | 100V | 2A | Single Phase | Through Hole | KBPM | Standard | -55°C ~ 150°C (TJ) | 5µA @ 50V | 1.1V @ 2A |
- 10
- 15
- 50
- 100