- Производитель
- Тип диода
- Тип корпуса
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
- Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
- Тип корпуса: DO-4
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
- Средний выпрямленный ток (Io): 12A
- Прямое напряжение: 800mV @ 12A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 200ns
- Ток утечки: 25µA @ 100V
- Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
- Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
- Тип корпуса: DO-5
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
- Средний выпрямленный ток (Io): 70A
- Прямое напряжение: 1V @ 70A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 75ns
- Ток утечки: 25µA @ 50V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
- Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
- Тип корпуса: DO-5
- Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 40V
- Средний выпрямленный ток (Io): 75A
- Прямое напряжение: 650mV @ 75A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 5mA @ 20V
- Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: TO-249AB
- Тип корпуса: TO-249AB
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 60V
- Прямое напряжение: 750mV @ 120A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 2mA @ 20V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 120A (DC)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Серия: SiC Schottky MPS™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: TO-252-2
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
- Средний выпрямленный ток (Io): 26A (DC)
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Емкость @ Vr, F: 466pF @ 1V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Three Tower
- Тип корпуса: Three Tower
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 400V
- Прямое напряжение: 1.3V @ 100A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 25µA @ 400V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 100A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
- Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
- Тип корпуса: DO-205AB, DO-9
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
- Средний выпрямленный ток (Io): 320A
- Прямое напряжение: 1.2V @ 300A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 10µA @ 600V
- Рабочая температура перехода: -60°C ~ 180°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-Square, GBPC-W
- Тип корпуса: GBPC-W
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 15A
- Прямое напряжение: 1.1V @ 7.5A
- Ток утечки: 5µA @ 1000V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 1kV
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Three Tower
- Тип корпуса: Three Tower
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
- Прямое напряжение: 920mV @ 150A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 200V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 150A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Twin Tower
- Тип корпуса: Twin Tower
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
- Прямое напряжение: 1.3V @ 50A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 75ns
- Ток утечки: 25µA @ 50V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 50A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: 4-Square, BR-8
- Тип корпуса: BR-8
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 8A
- Прямое напряжение: 1.1V @ 4A
- Ток утечки: 10µA @ 200V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 200V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-SIP, KBU
- Тип корпуса: KBU
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 6A
- Прямое напряжение: 1V @ 6A
- Ток утечки: 10µA @ 1000V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 1kV
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Twin Tower
- Тип корпуса: Twin Tower
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 45V
- Прямое напряжение: 650mV @ 100A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 5mA @ 20V
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 200A (DC)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Three Tower
- Тип корпуса: Three Tower
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
- Прямое напряжение: 1.2V @ 500A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 25µA @ 600V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 500A (DC)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
- Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
- Тип корпуса: DO-5
- Тип диода: Standard, Reverse Polarity
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1600V
- Средний выпрямленный ток (Io): 70A
- Прямое напряжение: 1.1V @ 70A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 10µA @ 100V
- Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100