- Производитель
- Тип диода
- Тип корпуса
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Three Tower
- Тип корпуса: Three Tower
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 150V
- Прямое напряжение: 880mV @ 300A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 4mA @ 150V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 300A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
- Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
- Тип корпуса: DO-5
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 45V
- Средний выпрямленный ток (Io): 80A
- Прямое напряжение: 650mV @ 80A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 45V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
- Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
- Тип корпуса: DO-5
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 500V
- Средний выпрямленный ток (Io): 60A
- Прямое напряжение: 1.1V @ 60A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 10µA @ 50V
- Рабочая температура перехода: -65°C ~ 200°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
- Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
- Тип корпуса: DO-4
- Тип диода: Schottky, Reverse Polarity
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 80V
- Средний выпрямленный ток (Io): 35A
- Прямое напряжение: 840mV @ 35A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1.5mA @ 20V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: TO-244AB
- Тип корпуса: TO-244AB
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 150V
- Прямое напряжение: 880mV @ 100A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 150V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Anode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 100A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Twin Tower
- Тип корпуса: Twin Tower
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 60V
- Прямое напряжение: 750mV @ 60A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 3mA @ 20V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Anode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 120A (DC)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
- Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
- Тип корпуса: DO-5
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
- Средний выпрямленный ток (Io): 40A
- Прямое напряжение: 1V @ 40A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 200ns
- Ток утечки: 25µA @ 100V
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 125°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: TO-244AB
- Тип корпуса: TO-244AB
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 400V
- Прямое напряжение: 1.3V @ 50A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 75ns
- Ток утечки: 25µA @ 50V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 50A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: TO-244AB
- Тип корпуса: TO-244AB
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 400V
- Прямое напряжение: 1.3V @ 100A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 90ns
- Ток утечки: 25µA @ 50V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Anode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 100A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
- Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
- Тип корпуса: DO-205AA (DO-8)
- Тип диода: Standard, Reverse Polarity
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
- Средний выпрямленный ток (Io): 100A
- Прямое напряжение: 1.5V @ 100A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 24mA @ 200V
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 200°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
- Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
- Тип корпуса: DO-4
- Тип диода: Standard, Reverse Polarity
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 100V
- Средний выпрямленный ток (Io): 12A
- Прямое напряжение: 800mV @ 12A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 200ns
- Ток утечки: 25µA @ 100V
- Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
- Тип корпуса: SOT-227
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 80V
- Прямое напряжение: 840mV @ 120A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 80V
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 2 Independent
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 120A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: TO-244AB
- Тип корпуса: TO-244
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 400V
- Прямое напряжение: 1.3V @ 200A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 180ns
- Ток утечки: 25µA @ 400V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Anode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 200A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: D-67
- Тип корпуса: D-67
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 80V
- Средний выпрямленный ток (Io): 240A
- Прямое напряжение: 840mV @ 240A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 80V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: 4-Circular, WOM
- Тип корпуса: WOM
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 1.5A
- Прямое напряжение: 1V @ 1A
- Ток утечки: 10µA @ 200V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 200V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100