- Производитель
- Тип диода
- Тип корпуса
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
- Тип корпуса: SOT-227
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 400V
- Прямое напряжение: 1.3V @ 30A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 25µA @ 400V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
- Конфигурация диода: 2 Independent
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 30A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Three Tower
- Тип корпуса: Three Tower
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
- Прямое напряжение: 1.3V @ 50A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 75ns
- Ток утечки: 25µA @ 50V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 50A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Three Tower
- Тип корпуса: Three Tower
- Тип диода: Standard, Reverse Polarity
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 400V
- Прямое напряжение: 1.35V @ 50A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 90ns
- Ток утечки: 25µA @ 50V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Anode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 50A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-SIP, GBU
- Тип корпуса: GBU
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 8A
- Прямое напряжение: 1.1V @ 8A
- Ток утечки: 5µA @ 400V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 400V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
- Тип корпуса: SOT-227
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 100V
- Прямое напряжение: 840mV @ 160A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 100V
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 2 Independent
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 160A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: TO-244AB
- Тип корпуса: TO-244
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 50V
- Прямое напряжение: 1.3V @ 50A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 75ns
- Ток утечки: 25µA @ 50V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 50A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: TO-244AB
- Тип корпуса: TO-244AB
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 80V
- Прямое напряжение: 840mV @ 250A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 80V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Anode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 300A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Серия: SiC Schottky MPS™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: TO-252-2
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
- Средний выпрямленный ток (Io): 50A (DC)
- Прямое напряжение: 1.8V @ 10A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 10µA @ 1200V
- Емкость @ Vr, F: 660pF @ 1V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
- Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
- Тип корпуса: DO-5
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 800V
- Средний выпрямленный ток (Io): 70A
- Прямое напряжение: 1.1V @ 70A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 10µA @ 100V
- Рабочая температура перехода: -65°C ~ 180°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 4-EDIP (0.321", 8.15mm)
- Тип корпуса: DB
- Тип диода: Single Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 1A
- Прямое напряжение: 1.1V @ 1A
- Ток утечки: 10µA @ 100V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 100V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Twin Tower
- Тип корпуса: Twin Tower
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 40V
- Прямое напряжение: 750mV @ 250A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 20V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Anode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 250A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Module
- Тип корпуса: Module
- Тип диода: Three Phase
- Средний выпрямленный ток (Io): 100A
- Прямое напряжение: 1.15V @ 100A
- Ток утечки: 10mA @ 600V
- Технология: Standard
- Обратное пиковое напряжение: 600V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: TO-244AB
- Тип корпуса: TO-244AB
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 35V
- Прямое напряжение: 700mV @ 60A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 1mA @ 35V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Anode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 60A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Three Tower
- Тип корпуса: Three Tower
- Тип диода: Standard
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
- Прямое напряжение: 1.2V @ 400A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 25µA @ 600V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 400A (DC)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
- Тип корпуса: SOT-227
- Тип диода: Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 120V
- Прямое напряжение: 880mV @ 120A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 3mA @ 120V
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 150°C
- Конфигурация диода: 2 Independent
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 120A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100