- Производитель
- Тип диода
- Тип корпуса
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Обратное пиковое напряжение
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Ток, макс.
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
Конфигурация диода
|
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
|
Серия
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
150KR40A | DIODE GEN PURP 400V 150A DO205AA | GeneSiC Semiconductor | DO-205AA, DO-8, Stud | 150A | Standard, Reverse Polarity | Chassis, Stud Mount | DO-205AA (DO-8) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 35mA @ 400V | 1.33V @ 150A | 400V | -40°C ~ 200°C | |||||||||
MBR30030CT | DIODE MODULE 30V 150A 2TOWER | GeneSiC Semiconductor | Twin Tower | Schottky | Chassis Mount | Twin Tower | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 8mA @ 20V | 650mV @ 150A | 30V | -55°C ~ 150°C | 1 Pair Common Cathode | 150A | ||||||||
GBU15M | BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 15A GBU | GeneSiC Semiconductor | 4-SIP, GBU | 1kV | 15A | Single Phase | Through Hole | GBU | Standard | -55°C ~ 150°C (TJ) | 5µA @ 1000V | 1.1V @ 15A | |||||||||
GKN71/12 | DIODE GEN PURP 1.2KV 95A DO5 | GeneSiC Semiconductor | DO-203AB, DO-5, Stud | 95A | Standard | Chassis, Stud Mount | DO-5 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 10mA @ 1200V | 1.5V @ 60A | 1200V | -40°C ~ 180°C | |||||||||
1N2130A | DIODE GEN PURP 150V 60A DO5 | GeneSiC Semiconductor | DO-203AB, DO-5, Stud | 60A | Standard | Chassis, Stud Mount | DO-5 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 10µA @ 50V | 1.1V @ 60A | 150V | -65°C ~ 200°C | |||||||||
MBRH15035L | DIODE SCHOTTKY 35V 150A D-67 | GeneSiC Semiconductor | D-67 | 150A | Schottky | Chassis Mount | D-67 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 3mA @ 35V | 600mV @ 150A | 35V | ||||||||||
FST120200 | DIODE SCHOTTKY 200V 60A TO249AB | GeneSiC Semiconductor | TO-249AB | Schottky | Chassis Mount | TO-249AB | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1mA @ 200V | 920mV @ 60A | 200V | -55°C ~ 150°C | 1 Pair Common Cathode | 60A | ||||||||
MURF30005R | DIODE GEN PURP 50V 150A TO244 | GeneSiC Semiconductor | TO-244AB | Standard | Chassis Mount | TO-244 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 25µA @ 50V | 1V @ 150A | 50V | -55°C ~ 150°C | 1 Pair Common Anode | 150A | ||||||||
MBR500100CTR | DIODE MODULE 100V 250A 2TOWER | GeneSiC Semiconductor | Twin Tower | Schottky, Reverse Polarity | Chassis Mount | Twin Tower | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1mA @ 20V | 880mV @ 250A | 100V | -55°C ~ 150°C | 1 Pair Common Anode | 250A | ||||||||
MBRT500150R | DIODE SCHOTTKY 150V 250A 3 TOWER | GeneSiC Semiconductor | Three Tower | Schottky | Chassis Mount | Three Tower | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1mA @ 150V | 880mV @ 250A | 150V | -55°C ~ 150°C | 1 Pair Common Anode | 250A | ||||||||
MBR7560R | DIODE SCHOTTKY REV 60V DO5 | GeneSiC Semiconductor | DO-203AB, DO-5, Stud | 75A | Schottky, Reverse Polarity | Chassis, Stud Mount | DO-5 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1mA @ 60V | 750mV @ 75A | 60V | -55°C ~ 150°C | |||||||||
FR85JR05 | DIODE GEN PURP REV 600V 85A DO5 | GeneSiC Semiconductor | DO-203AB, DO-5, Stud | 85A | Standard, Reverse Polarity | Chassis, Stud Mount | DO-5 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 25µA @ 100V | 1.4V @ 85A | 600V | 500ns | -40°C ~ 125°C | ||||||||
GBL01 | BRIDGE RECT 1PHASE 100V 4A GBL | GeneSiC Semiconductor | 4-SIP, GBL | 100V | 4A | Single Phase | Through Hole | GBL | Standard | -55°C ~ 150°C (TJ) | 5µA @ 100V | 1.1V @ 4A | |||||||||
M3P100A-100 | BRIDGE RECT 3P 1KV 100A MODULE | GeneSiC Semiconductor | Module | 1kV | 100A | Three Phase | Chassis Mount | Module | Standard | -55°C ~ 150°C (TJ) | 10mA @ 1000V | 1.15V @ 100A | |||||||||
FR6DR05 | DIODE GEN PURP REV 200V 16A DO4 | GeneSiC Semiconductor | DO-203AA, DO-4, Stud | 16A | Standard, Reverse Polarity | Chassis, Stud Mount | DO-4 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 25µA @ 50V | 1.4V @ 6A | 200V | 500ns | -65°C ~ 150°C |
- 10
- 15
- 50
- 100