- Производитель
- Тип диода
- Тип корпуса
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Обратное пиковое напряжение
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Ток, макс.
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
Конфигурация диода
|
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
|
Серия
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MBRF600100R | DIODE SCHOTTKY 100V 250A TO244AB | GeneSiC Semiconductor | TO-244AB | Schottky | Chassis Mount | TO-244AB | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1mA @ 100V | 840mV @ 250A | 100V | -55°C ~ 150°C | 1 Pair Common Anode | 250A | ||||||||
MBRT40045RL | DIODE SCHOTTKY 45V 200A 3 TOWER | GeneSiC Semiconductor | Three Tower | Schottky | Chassis Mount | Three Tower | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 5mA @ 45V | 600mV @ 200A | 45V | -55°C ~ 150°C | 1 Pair Common Anode | 200A | ||||||||
MBRH12030R | DIODE SCHOTTKY 30V 120A D-67 | GeneSiC Semiconductor | D-67 | 120A | Schottky, Reverse Polarity | Chassis Mount | D-67 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 4mA @ 20V | 650mV @ 120A | 30V | ||||||||||
FST10080 | DIODE MODULE 80V 100A TO249AB | GeneSiC Semiconductor | TO-249AB | Schottky | Chassis Mount | TO-249AB | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 2mA @ 20V | 840mV @ 100A | 80V | -55°C ~ 150°C | 1 Pair Common Cathode | 100A | ||||||||
MBRF60040 | DIODE SCHOTTKY 40V 300A TO244AB | GeneSiC Semiconductor | TO-244AB | Schottky | Chassis Mount | TO-244AB | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 10mA @ 20V | 650mV @ 300A | 40V | -40°C ~ 175°C | 1 Pair Common Cathode | 300A (DC) | ||||||||
MBRT30060R | DIODE MODULE 60V 150A 3TOWER | GeneSiC Semiconductor | Three Tower | Schottky | Chassis Mount | Three Tower | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1mA @ 20V | 800mV @ 150A | 60V | -55°C ~ 150°C | 1 Pair Common Anode | 150A | ||||||||
MUR20005CT | DIODE MODULE 50V 100A 2TOWER | GeneSiC Semiconductor | Twin Tower | Schottky | Chassis Mount | Twin Tower | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 25µA @ 50V | 1.3V @ 100A | 50V | 75ns | -55°C ~ 150°C | 1 Pair Common Cathode | 100A | |||||||
KBPM3005G | BRIDGE RECT 1PHASE 50V 3A KBPM | GeneSiC Semiconductor | 4-SIP, KBPM | 50V | 3A | Single Phase | Through Hole | KBPM | Standard | -55°C ~ 150°C (TJ) | 5µA @ 50V | 1.1V @ 3A | |||||||||
MBR40040CTL | DIODE SCHOTTKY 40V 200A 2 TOWER | GeneSiC Semiconductor | Twin Tower | Schottky | Chassis Mount | Twin Tower | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 3mA @ 40V | 600mV @ 200A | 40V | -55°C ~ 150°C | 1 Pair Common Cathode | 200A | ||||||||
FR30KR05 | DIODE GEN PURP REV 800V 30A DO5 | GeneSiC Semiconductor | DO-203AB, DO-5, Stud | 30A | Standard, Reverse Polarity | Chassis, Stud Mount | DO-5 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 25µA @ 800V | 1V @ 30A | 800V | 500ns | -40°C ~ 125°C | ||||||||
1N5828 | DIODE SCHOTTKY 40V 15A DO5 | GeneSiC Semiconductor | DO-203AB, DO-5, Stud | 15A | Schottky | Chassis, Stud Mount | DO-5 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 10mA @ 20V | 500mV @ 15A | 40V | -65°C ~ 150°C | |||||||||
MURF10010R | DIODE MODULE 100V 50A TO244 | GeneSiC Semiconductor | TO-244AB | Standard | Chassis Mount | TO-244 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 25µA @ 50V | 1.3V @ 50A | 100V | 75ns | -55°C ~ 150°C | 1 Pair Common Anode | 50A | |||||||
FR70J02 | DIODE GEN PURP 600V 70A DO5 | GeneSiC Semiconductor | DO-203AB, DO-5, Stud | 70A | Standard | Chassis, Stud Mount | DO-5 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 25µA @ 100V | 1.4V @ 70A | 600V | 250ns | -40°C ~ 125°C | ||||||||
MBRTA80080R | DIODE SCHOTTKY 80V 400A 3TOWER | GeneSiC Semiconductor | Three Tower | Schottky | Chassis Mount | Three Tower | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1mA @ 80V | 840mV @ 400A | 80V | -55°C ~ 150°C | 1 Pair Common Anode | 400A | ||||||||
S16BR | DIODE GEN PURP 100V 16A DO220AA | GeneSiC Semiconductor | DO-203AA, DO-4, Stud | 16A | Standard, Reverse Polarity | Chassis, Stud Mount | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 10µA @ 50V | 1.1V @ 16A | 100V | -65°C ~ 175°C |
- 10
- 15
- 50
- 100