-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Обратное пиковое напряжение
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Технология
|
Рабочая температура
|
Ток утечки
|
Прямое напряжение
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
C50VB80-G | BRIDGE RECT | Comchip Technology | 4-Square, CVB | 800V | 50A | Single Phase | Chassis Mount | CVB | Standard | -55°C ~ 150°C (TJ) | 10µA @ 800V | 1.05V @ 25A |
C50VB160-G | BRIDGE RECT | Comchip Technology | 4-Square, CVB | 1.6kV | 50A | Single Phase | Chassis Mount | CVB | Standard | -55°C ~ 150°C (TJ) | 100µA @ 1600V | 1.1V @ 25A |
- 10
- 15
- 50
- 100