• Тип диода
  • Производитель
  • Тип корпуса
Найдено: 2069
  • 650V 8A SIC SBD GEN1.5
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D²PAK-2 (TO-263-2)
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 10.1A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.7V @ 8A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 40µA @ 650V
    • Емкость @ Vr, F: 336pF @ 1V, 100kHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Серия: SiC Schottky MPS™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: TO-252
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1A
    • Прямое напряжение: 1.8V @ 1A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 2µA @ 1200V
    • Емкость @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SIC SCHOTTKY DIODE 650V 20A 3-PI
    Global Power Technology Co. Ltd
    • Производитель: Global Power Technology Co. Ltd
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247AB
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 66.5A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.7V @ 20A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 50µA @ 650V
    • Емкость @ Vr, F: 1390pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 8A 2-PI
    Global Power Technology Co. Ltd
    • Производитель: Global Power Technology Co. Ltd
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-2 Full Pack
    • Тип корпуса: TO-220F
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 16A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.7V @ 8A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 50µA @ 1200V
    • Емкость @ Vr, F: 550pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 650 V, 2 A HIGH SURGE SILICON CA
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: DPAK
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 2A
    • Прямое напряжение: 1.55V @ 2A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Ток утечки: 20µA @ 650V
    • Емкость @ Vr, F: 135pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 3A 2-PI
    Global Power Technology-GPT
    • Производитель: Global Power Technology-GPT
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-2 Full Pack
    • Тип корпуса: TO-220F
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 9A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.7V @ 3A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 100µA @ 1200V
    • Емкость @ Vr, F: 260pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO220AC
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-2
    • Тип корпуса: TO-220AC
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 8A
    • Прямое напряжение: 1.7V @ 8A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 100µA @ 600V
    • Емкость @ Vr, F: 450pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 1200V 15A TO247-3
    SemiQ
    • Производитель: SemiQ
    • Серия: AMP
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247-3
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
    • Прямое напряжение: 1.7V @ 15A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 100µA @ 1200V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 135°C
    • Конфигурация диода: 1 Pair Common Anode
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 15A (DC)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RECTIFIER DIODE
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Серия: CoolSiC™+
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-2
    • Тип корпуса: PG-TO220-2-2
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1.2V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 7.5A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.8V @ 7.5A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 180µA @ 1.2V
    • Емкость @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 1200V 30A SIC SBD
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-247-2
    • Тип корпуса: TO-247-2
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 46A (DC)
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 200µA @ 1200V
    • Емкость @ Vr, F: 1740pF @ 1V, 100kHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A 2-PI
    Global Power Technology-GPT
    • Производитель: Global Power Technology-GPT
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-247-2
    • Тип корпуса: TO-247AC
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 32.8A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.7V @ 10A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 50µA @ 650V
    • Емкость @ Vr, F: 690pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220-2
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: CoolSiC™+
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-2
    • Тип корпуса: PG-TO220-2-2
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.8V @ 10A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 240µA @ 1200V
    • Емкость @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 1700V 15A TO-247-2 SIC SCHOTTKY
    GeneSiC Semiconductor
    • Производитель: GeneSiC Semiconductor
    • Серия: SiC Schottky MPS™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-247-2
    • Тип корпуса: TO-247-2
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1700V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 36A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.8V @ 15A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 20µA @ 1700V
    • Емкость @ Vr, F: 1.082nF @ 1V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 650V 2A TO252-2
    Wolfspeed, Inc.
    • Производитель: Wolfspeed, Inc.
    • Серия: Z-Rec®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: TO-252-2
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 8A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.8V @ 2A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 50µA @ 650V
    • Емкость @ Vr, F: 120pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220-2
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: Zero Recovery™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-2
    • Тип корпуса: TO-220-2
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 17.5A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.8V @ 5A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 200µA @ 1200V
    • Емкость @ Vr, F: 455pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: