- Тип диода
- Производитель
- Тип корпуса
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
Конфигурация диода
|
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
|
Серия
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
C2D05120A | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220-2 | Cree/Wolfspeed | TO-220-2 | 17.5A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 200µA @ 1200V | 455pF @ 0V, 1MHz | 1.8V @ 5A | 1200V | 0ns | -55°C ~ 175°C | Zero Recovery™ | ||
GD15MPS17H | 1700V 15A TO-247-2 SIC SCHOTTKY | GeneSiC Semiconductor | TO-247-2 | 36A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-247-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 20µA @ 1700V | 1.082nF @ 1V, 1MHz | 1.8V @ 15A | 1700V | 0ns | -55°C ~ 175°C | SiC Schottky MPS™ | ||
GB01SLT12-252 | DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252 | GeneSiC Semiconductor | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | 1A | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | TO-252 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 2µA @ 1200V | 69pF @ 1V, 1MHz | 1.8V @ 1A | 1200V | 0ns | -55°C ~ 175°C | SiC Schottky MPS™ | ||
G5S12008H | SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 8A 2-PI | Global Power Technology Co. Ltd | TO-220-2 Full Pack | 16A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220F | No Recovery Time > 500mA (Io) | 50µA @ 1200V | 550pF @ 0V, 1MHz | 1.7V @ 8A | 1200V | 0ns | -55°C ~ 175°C | |||
GAS06520L | SIC SCHOTTKY DIODE 650V 20A 3-PI | Global Power Technology Co. Ltd | TO-247-3 | 66.5A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-247AB | No Recovery Time > 500mA (Io) | 50µA @ 650V | 1390pF @ 0V, 1MHz | 1.7V @ 20A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | |||
G3S12003H | SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 3A 2-PI | Global Power Technology-GPT | TO-220-2 Full Pack | 9A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220F | No Recovery Time > 500mA (Io) | 100µA @ 1200V | 260pF @ 0V, 1MHz | 1.7V @ 3A | 1200V | 0ns | -55°C ~ 175°C | |||
G3S06510P | SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A 2-PI | Global Power Technology-GPT | TO-247-2 | 32.8A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-247AC | No Recovery Time > 500mA (Io) | 50µA @ 650V | 690pF @ 0V, 1MHz | 1.7V @ 10A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | |||
IDH10S120AKSA1 | DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220-2 | Infineon Technologies | TO-220-2 | 10A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | PG-TO220-2-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 240µA @ 1200V | 500pF @ 1V, 1MHz | 1.8V @ 10A | 1200V | 0ns | -55°C ~ 175°C | CoolSiC™+ | ||
FFSB0865B-F085 | 650V 8A SIC SBD GEN1.5 | onsemi | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 10.1A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | D²PAK-2 (TO-263-2) | No Recovery Time > 500mA (Io) | 40µA @ 650V | 336pF @ 1V, 100kHz | 1.7V @ 8A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | |||
FFSH30120A | 1200V 30A SIC SBD | onsemi | TO-247-2 | 46A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-247-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 200µA @ 1200V | 1740pF @ 1V, 100kHz | 1200V | 0ns | -55°C ~ 175°C | ||||
IDH08S120AKSA1 | RECTIFIER DIODE | Rochester Electronics, LLC | TO-220-2 | 7.5A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | PG-TO220-2-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 180µA @ 1.2V | 380pF @ 1V, 1MHz | 1.8V @ 7.5A | 1.2V | 0ns | -55°C ~ 175°C | CoolSiC™+ | ||
GDP30D120B | DIODE SCHOTTKY 1200V 15A TO247-3 | SemiQ | TO-247-3 | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-247-3 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 100µA @ 1200V | 1.7V @ 15A | 1200V | -55°C ~ 135°C | 1 Pair Common Anode | 15A (DC) | AMP | |||
STPSC806D | DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO220AC | STMicroelectronics | TO-220-2 | 8A | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220AC | No Recovery Time > 500mA (Io) | 100µA @ 600V | 450pF @ 0V, 1MHz | 1.7V @ 8A | 600V | 0ns | -40°C ~ 175°C | |||
STPSC2H065B-TR | 650 V, 2 A HIGH SURGE SILICON CA | STMicroelectronics | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | 2A | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | DPAK | No Recovery Time > 500mA (Io) | 20µA @ 650V | 135pF @ 0V, 1MHz | 1.55V @ 2A | 650V | -40°C ~ 175°C | ||||
C3D02065E | DIODE SCHOTTKY 650V 2A TO252-2 | Wolfspeed, Inc. | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | 8A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | TO-252-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 50µA @ 650V | 120pF @ 0V, 1MHz | 1.8V @ 2A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | Z-Rec® |
- 10
- 15
- 50
- 100