- Тип диода
- Производитель
- Тип корпуса
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
Конфигурация диода
|
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CSD08060A | DIODE SCHOTTKY 600V 12.5A TO220 | Cree/Wolfspeed | TO-220-2 | 12.5A | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 200µA @ 600V | 470pF @ 0V, 1MHz | 1.8V @ 8A | 600V | 0ns | -55°C ~ 175°C | Zero Recovery™ | ||
| CPW3-1700-S010B-WP | DIODE SILICON 1.7KV 10A CHIP | Cree/Wolfspeed | Die | 10A | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | Sawn on foil | No Recovery Time > 500mA (Io) | 50µA @ 1700V | 880pF @ 0V, 1MHz | 2V @ 10A | 1700V | 0ns | -55°C ~ 175°C | Z-Rec® | ||
| G3S06502H | SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A 2-PIN | Global Power Technology Co. Ltd | TO-220-2 Full Pack | 9A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220F | No Recovery Time > 500mA (Io) | 50µA @ 650V | 123pF @ 0V, 1MHz | 1.7V @ 2A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | |||
| IDH15S120AKSA1 | DIODE SCHOTTKY 1200V 15A TO220-2 | Infineon Technologies | TO-220-2 | 15A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | PG-TO220-2-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 360µA @ 1200V | 750pF @ 1V, 1MHz | 1.8V @ 15A | 1200V | 0ns | -55°C ~ 175°C | CoolSiC™+ | ||
| JANTXV1N6912UTK2CS/TR | DIODE POWER SCHOTTKY | Microchip Technology | ThinKey™2 | 25A | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | ThinKey™2 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1.2mA @ 45V | 1000pF @ 5V, 1MHz | 640 mV @ 25 A | 45V | -65°C ~ 150°C | ||||
| PCFFS08120AF | DIODE SCHOTTKY 8A 1200V DIE | onsemi | Die | 8A | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | Die | No Recovery Time > 500mA (Io) | 200µA @ 1200V | 1.723 V @ 20 A | 1200V | 0ns | 175°C (Max) | ||||
| FFSPF0865A | 650V 8A SIC SBD | onsemi | TO-220-2 Full Pack | 8A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220F-2FS | No Recovery Time > 500mA (Io) | 200µA @ 650V | 463pF @ 1V, 100kHz | 1.75V @ 8A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | |||
| FFSH1065B-F085 | 650V 10A SIC SBD GEN1.5 | onsemi | TO-247-2 | 11.5A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-247-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 40µA @ 650V | 421pF @ 1V, 100kHz | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | Automotive, AEC-Q101 | |||
| FFSM1065A | DIODE SBD 650V 4PQFN | onsemi | 4-PowerTSFN | 11A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | 4-PQFN (8x8) | No Recovery Time > 500mA (Io) | 200µA @ 650V | 575pF @ 1V, 100kHz | 1.75V @ 10A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | |||
| P3D06016I2 | DIODE SCHOTTKY 600V 16A TO220I-2 | PN Junction Semiconductor | TO-220I-2 | 28A (DC) | Silicon Carbide Schottky | TO-220I-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 45 µA @ 650 V | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C (TJ) | P3D | |||||
| SCS210AJHRTLL | DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO263AB | Rohm Semiconductor | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 10A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | TO-263AB | No Recovery Time > 500mA (Io) | 200µA @ 600V | 365pF @ 1V, 1MHz | 1.55V @ 10A | 650V | 0ns | 175°C (Max) | Automotive, AEC-Q101 | ||
| STPSC12065DY | DIODE SCHTKY 650V 12A TO220AC | STMicroelectronics | TO-220-2 | 12A | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220AC | No Recovery Time > 500mA (Io) | 50µA @ 600V | 750pF @ 0V, 1MHz | 1.45V @ 12A | 650V | 0ns | -40°C ~ 175°C | Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 | ||
| UJ3D1210K2 | 1200V 10A SIC SCHOTTKY DIODE G3, | UnitedSiC | TO-247-2 | 10A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-247-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 110µA @ 1200V | 510pF @ 1V, 1MHz | 1.6V @ 10A | 1200V | 0ns | -55°C ~ 175°C | |||
| WNSC06650T6J | SILICON CARBIDE POWER DIODE | WeEn Semiconductors | 4-VSFN Exposed Pad | 6A | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | 5-DFN (8x8) | No Recovery Time > 500mA (Io) | 40µA @ 650V | 190pF @ 1V, 1MHz | 1.7V @ 6A | 650V | 0ns | 175°C (Max) | |||
| CSD10030A | DIODE SCHOTTKY 300V 10A TO220-2 | Wolfspeed, Inc. | TO-220-2 | 10A | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 200µA @ 300V | 660pF @ 0V, 1MHz | 1.4V @ 10A | 300V | 0ns | -55°C ~ 175°C |
- 10
- 15
- 50
- 100