- Тип диода
- Производитель
- Тип корпуса
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
Конфигурация диода
|
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| G3S06506H | SIC SCHOTTKY DIODE 650V 6A 2-PIN | Global Power Technology Co. Ltd | TO-220-2 Full Pack | 15.4A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220F | No Recovery Time > 500mA (Io) | 50µA @ 650V | 424pF @ 0V, 1MHz | 1.7V @ 6A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | |||
| G3S12010A | SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 2-P | Global Power Technology-GPT | TO-220-2 | 34.8A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220AC | No Recovery Time > 500mA (Io) | 50µA @ 1200V | 770pF @ 0V, 1MHz | 1.7V @ 10A | 1200V | 0ns | -55°C ~ 175°C | |||
| G4S06515AT | SIC SCHOTTKY DIODE 650V 15A 2-PI | Global Power Technology-GPT | TO-220-2 | 36A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220AC | No Recovery Time > 500mA (Io) | 50µA @ 650V | 645pF @ 0V, 1MHz | 1.7V @ 15A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | |||
| G3S06520H | SIC SCHOTTKY DIODE 650V 20A 2-PI | Global Power Technology-GPT | TO-220-2 Full Pack | 26A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220F | No Recovery Time > 500mA (Io) | 50µA @ 650V | 1170pF @ 0V, 1MHz | 1.7V @ 20A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | |||
| IDM10G120C5XTMA1 | DIODE SCHTKY 1200V 38A PGTO252-2 | Infineon Technologies | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | 38A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | PG-TO252-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 62µA @ 12V | 29pF @ 800V, 1MHz | 1.8V @ 10A | 1200V | 0ns | -55°C ~ 150°C | CoolSiC™+ | ||
| MSC2X51SDA120J | SIC SBD 1200 V 50 A DUAL PARALLE | Microchip Technology | SOT-227-4, miniBLOC | Silicon Carbide Schottky | Chassis Mount | SOT-227 (ISOTOP®) | No Recovery Time > 500mA (Io) | 200µA @ 1200V | 1.8V @ 50A | 1200V | 0ns | -55°C ~ 175°C | 2 Independent | 50A (DC) | |||
| MSCDC150A170D1PAG | PM-DIODE-SIC-SBD-D1P | Microchip Technology | Module | Silicon Carbide Schottky | Chassis Mount | D1P | No Recovery Time > 500mA (Io) | 1.8V @ 150A | 1700V | 0ns | -40°C ~ 175°C | 1 Pair Series Connection | 150A (DC) | ||||
| MSC020SDA120S | SIC SBD 1200 V 20 A TO-268 | Microchip Technology | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | 49A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | D3Pak | No Recovery Time > 500mA (Io) | 200µA @ 1200V | 1130pF @ 1V, 1MHz | 1.8V @ 20A | 1200V | 0ns | -55°C ~ 175°C | |||
| FFSD0865A | 650V 8A SIC SBD | onsemi | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | 15A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | D-PAK (TO-252) | No Recovery Time > 500mA (Io) | 200µA @ 650V | 463pF @ 1V, 100kHz | 1.75V @ 8A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | |||
| P3D06020I2 | DIODE SCHOTTKY 600V 20A TO220I-2 | PN Junction Semiconductor | TO-220I-2 | 35A (DC) | Silicon Carbide Schottky | TO-220I-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 50µA @ 650V | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C (TJ) | P3D | |||||
| P3D06006I2 | DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220I-2 | PN Junction Semiconductor | TO-220I-2 | 18A (DC) | Silicon Carbide Schottky | TO-220I-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 30µA @ 650V | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C (TJ) | P3D | |||||
| RJS6004TDPP-EJ#YJ1 | DIODE SCHOTTKY TO220FP | Renesas Electronics America | TO-220-2 Full Pack | 10A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220FP-2L | No Recovery Time > 500mA (Io) | 10µA @ 600V | 1.8V @ 10A | 600V | 0ns | 150°C (Max) | ||||
| SCS210KE2GC11 | 1200V, 10A, 3-PIN THD, SILICON-C | Rohm Semiconductor | TO-247-3 | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-247N | No Recovery Time > 500mA (Io) | 100µA @ 1200V | 1.6V @ 5A | 1200V | 0ns | 175°C | 1 Pair Common Cathode | 5A (DC) | |||
| GHXS045A120S-D3 | DIODE SCHOT SBD 1200V 45A SOT227 | SemiQ | SOT-227-4, miniBLOC | Silicon Carbide Schottky | Chassis Mount | SOT-227 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 300µA @ 1200V | 1.7V @ 45A | 1200V | -55°C ~ 175°C | 2 Independent | 45A | ||||
| WNSC2D04650Q | WNSC2D04650/TO-220AC/STANDARD MA | WeEn Semiconductors | TO-220-2 | 4A | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220AC | No Recovery Time > 500mA (Io) | 20µA @ 650V | 125pF @ 1V, 1MHz | 1.7V @ 4A | 650V | 0ns | 175°C |
- 10
- 15
- 50
- 100