- Тип диода
- Производитель
- Тип корпуса
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: D-PAK (TO-252)
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
- Средний выпрямленный ток (Io): 15A (DC)
- Прямое напряжение: 1.75V @ 8A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 200µA @ 650V
- Емкость @ Vr, F: 463pF @ 1V, 100kHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Module
- Тип корпуса: D1P
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1700V
- Прямое напряжение: 1.8V @ 150A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 175°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Series Connection
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 150A (DC)
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: CoolSiC™+
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: PG-TO252-2
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
- Средний выпрямленный ток (Io): 38A (DC)
- Прямое напряжение: 1.8V @ 10A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 62µA @ 12V
- Емкость @ Vr, F: 29pF @ 800V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
-
- Производитель: SemiQ
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
- Тип корпуса: SOT-227
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
- Прямое напряжение: 1.7V @ 45A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 300µA @ 1200V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
- Конфигурация диода: 2 Independent
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 45A
-
- Производитель: Renesas Electronics America
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2 Full Pack
- Тип корпуса: TO-220FP-2L
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
- Прямое напряжение: 1.8V @ 10A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 10µA @ 600V
- Рабочая температура перехода: 150°C (Max)
-
- Производитель: PN Junction Semiconductor
- Серия: P3D
- Package / Case: TO-220I-2
- Тип корпуса: TO-220I-2
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
- Средний выпрямленный ток (Io): 18A (DC)
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 30µA @ 650V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C (TJ)
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247N
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
- Прямое напряжение: 1.6V @ 5A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 100µA @ 1200V
- Рабочая температура перехода: 175°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 5A (DC)
-
- Производитель: Global Power Technology Co. Ltd
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2 Full Pack
- Тип корпуса: TO-220F
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
- Средний выпрямленный ток (Io): 15.4A (DC)
- Прямое напряжение: 1.7V @ 6A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 50µA @ 650V
- Емкость @ Vr, F: 424pF @ 0V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
- Тип корпуса: SOT-227 (ISOTOP®)
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
- Прямое напряжение: 1.8V @ 50A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 200µA @ 1200V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
- Конфигурация диода: 2 Independent
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 50A (DC)
-
- Производитель: WeEn Semiconductors
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2
- Тип корпуса: TO-220AC
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
- Средний выпрямленный ток (Io): 4A
- Прямое напряжение: 1.7V @ 4A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 20µA @ 650V
- Емкость @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: 175°C
-
- Производитель: Global Power Technology-GPT
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2
- Тип корпуса: TO-220AC
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
- Средний выпрямленный ток (Io): 36A (DC)
- Прямое напряжение: 1.7V @ 15A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 50µA @ 650V
- Емкость @ Vr, F: 645pF @ 0V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
-
- Производитель: Global Power Technology-GPT
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2
- Тип корпуса: TO-220AC
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
- Средний выпрямленный ток (Io): 34.8A (DC)
- Прямое напряжение: 1.7V @ 10A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 50µA @ 1200V
- Емкость @ Vr, F: 770pF @ 0V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
-
- Производитель: PN Junction Semiconductor
- Серия: P3D
- Package / Case: TO-220I-2
- Тип корпуса: TO-220I-2
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
- Средний выпрямленный ток (Io): 35A (DC)
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 50µA @ 650V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C (TJ)
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
- Тип корпуса: D3Pak
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
- Средний выпрямленный ток (Io): 49A (DC)
- Прямое напряжение: 1.8V @ 20A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 200µA @ 1200V
- Емкость @ Vr, F: 1130pF @ 1V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
-
- Производитель: Global Power Technology-GPT
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2 Full Pack
- Тип корпуса: TO-220F
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
- Средний выпрямленный ток (Io): 26A (DC)
- Прямое напряжение: 1.7V @ 20A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 50µA @ 650V
- Емкость @ Vr, F: 1170pF @ 0V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
- 10
- 15
- 50
- 100