• Тип диода
  • Производитель
  • Тип корпуса
Найдено: 2069
  • DIODE, SIC STKY 8A 650V TO-220F
    Comchip Technology
    • Производитель: Comchip Technology
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-2 Full Pack
    • Тип корпуса: TO-220F
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 8A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.7V @ 8A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 100µA @ 650V
    • Емкость @ Vr, F: 560pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 1.2KV 30A TO247
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-247-2
    • Тип корпуса: TO-247
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 30A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.5V @ 30A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SIC SCHOTTKY DIODE 1700V 5A 2-PI
    Global Power Technology Co. Ltd
    • Производитель: Global Power Technology Co. Ltd
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-247-2
    • Тип корпуса: TO-247AC
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1700V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 29.5A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.7V @ 5A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 50µA @ 1700V
    • Емкость @ Vr, F: 780pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 5A 2-PI
    Global Power Technology Co. Ltd
    • Производитель: Global Power Technology Co. Ltd
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: TO-252
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 34A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.7V @ 5A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 50µA @ 1200V
    • Емкость @ Vr, F: 475pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AUTOMOTIVE SIC DIODES
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Серия: Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247-3
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
    • Прямое напряжение: 1.5V @ 10A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 60µA @ 1200V
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 175°C
    • Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 10A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 1200V 2A TO220-2
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: CoolSiC™+
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-2
    • Тип корпуса: PG-TO220-2-2
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 2A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.8V @ 2A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 48µA @ 1200V
    • Емкость @ Vr, F: 125pF @ 1V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220AB
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: PG-TO220-3-1
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 6A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.7V @ 6A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 200µA @ 600V
    • Емкость @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SCHOTTKY 600V 6A D2PAK
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D2PAK
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 6A
    • Прямое напряжение: 1.7V @ 6A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 75µA @ 600V
    • Емкость @ Vr, F: 375pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -40°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 2-P
    Global Power Technology-GPT
    • Производитель: Global Power Technology-GPT
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: TO-252
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 34.2A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.7V @ 10A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 50µA @ 1200V
    • Емкость @ Vr, F: 825pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE ARRAY SCHOTTKY 600V TO247
    SemiQ
    • Производитель: SemiQ
    • Серия: AMP
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247-3
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
    • Прямое напряжение: 1.65V @ 12A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Ток утечки: 40µA @ 600V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    • Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 36A (DC)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 40A 3-P
    Global Power Technology Co. Ltd
    • Производитель: Global Power Technology Co. Ltd
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247AB
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
    • Прямое напряжение: 1.7V @ 20A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 50µA @ 1200V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    • Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 62A (DC)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE SIC 1200V 10A TO247
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247-3
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
    • Прямое напряжение: 1.75V @ 10A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 200µA @ 1200V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    • Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 10A (DC)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE
    WeEn Semiconductors
    • Производитель: WeEn Semiconductors
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-247-2
    • Тип корпуса: TO-247-2
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 10A
    • Прямое напряжение: 1.65V @ 10A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 110µA @ 1200V
    • Емкость @ Vr, F: 490pF @ 1V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SCHOTTKY DIODE
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: ThinKey™2
    • Тип корпуса: ThinKey™2
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 30V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 25A
    • Прямое напряжение: 540 mV @ 25 A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Ток утечки: 1.2mA @ 30V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SIC SCHOTTKY DIODE 650V 40A 2-PI
    Global Power Technology Co. Ltd
    • Производитель: Global Power Technology Co. Ltd
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-247-2
    • Тип корпуса: TO-247AC
    • Тип диода: Silicon Carbide Schottky
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 81.8A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.7V @ 40A
    • Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 0ns
    • Ток утечки: 50µA @ 650V
    • Емкость @ Vr, F: 1860pF @ 0V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: