- Тип диода
- Производитель
- Тип корпуса
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
Конфигурация диода
|
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| C3D06060F | DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220-F2 | Cree/Wolfspeed | TO-220-2 Full Pack | 7.5A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220-F2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 50µA @ 600V | 294pF @ 0V, 1MHz | 1.8V @ 6A | 600V | 0ns | -55°C ~ 175°C | Z-Rec® | ||
| DSC10065 | SILICON CARBIDE RECTIFIER TO220A | Diodes Incorporated | TO-220-2 | 10A | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO220AC (Type WX) | No Recovery Time > 500mA (Io) | 250µA @ 650V | 400pF @ 100mV, 1MHz | 1.7V @ 10A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | |||
| GE10MPS06E | 650V 10A TO-252-2 SIC SCHOTTKY M | GeneSiC Semiconductor | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | 26A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | TO-252-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 466pF @ 1V, 1MHz | 650V | -55°C ~ 175°C | SiC Schottky MPS™ | |||||
| G5S12015L | SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 15A 3-P | Global Power Technology Co. Ltd | TO-247-3 | 55A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-247AB | No Recovery Time > 500mA (Io) | 50µA @ 1200V | 1370pF @ 0V, 1MHz | 1.7V @ 15A | 1200V | 0ns | -55°C ~ 175°C | |||
| G5S06510QT | SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A DFN8 | Global Power Technology-GPT | 4-PowerTSFN | 53A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | 4-DFN (8x8) | No Recovery Time > 500mA (Io) | 50µA @ 650V | 645pF @ 0V, 1MHz | 1.5V @ 10A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | |||
| IDW40G65C5B | IDW40G65 - COOLSIC SCHOTTKY DIOD | Infineon Technologies | TO-247-3 | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | PG-TO247-3-41 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 210µA @ 650V | 1.7V @ 20A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | 1 Pair Common Cathode | 20A (DC) | |||
| IDH12G65C6XKSA1 | DIODE SCHOTTKY 650V 27A TO220-2 | Infineon Technologies | TO-220-2 | 27A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | PG-TO220-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 40µA @ 420V | 594pF @ 1V, 1MHz | 1.35V @ 12A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | |||
| JAN1N6912UTK2CS/TR | DIODE POWER SCHOTTKY | Microchip Technology | ThinKey™2 | 25A | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | ThinKey™2 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1.2mA @ 45V | 1000pF @ 5V, 1MHz | 640 mV @ 25 A | 45V | -65°C ~ 150°C | ||||
| FFSP1065B-F085 | SIC DIODE 650V | onsemi | TO-220-2 | 10A | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 40µA @ 650V | 421pF @ 1V, 100kHz | 1.7V @ 10A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | Automotive, AEC-Q101 | ||
| P3D06006F2 | DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220F-2 | PN Junction Semiconductor | TO-220F-2 | 15A (DC) | Silicon Carbide Schottky | TO-220F(2) | No Recovery Time > 500mA (Io) | 30µA @ 650V | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C (TJ) | P3D | |||||
| IDH06S60CAKSA1 | RECTIFIER DIODE | Rochester Electronics, LLC | TO-220-2 | 6A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | PG-TO220-2-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 80µA @ 600V | 280pF @ 1V, 1MHz | 1.7V @ 6A | 600V | 0ns | -55°C ~ 175°C | CoolSiC™+ | ||
| SCS306APC9 | DIODE SC SCHKY 650V 6A TO220ACP | Rohm Semiconductor | TO-220-2 | 6A | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | No Recovery Time > 500mA (Io) | 30µA @ 650V | 300pF @ 1V, 1MHz | 1.5V @ 6A | 650V | 0ns | 175°C (Max) | ||||
| GP3D015A120A | SIC SCHOTTKY DIODE 1200V TO220 | SemiQ | TO-220-2 | 15A | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 30µA @ 1200V | 962pF @ 1V, 1MHz | 1.6V @ 15A | 1200V | 0ns | -55°C ~ 175°C | AMP | ||
| STPSC10H065GY-TR | DIODE SCHTY SIC 650V 10A D2PAK | STMicroelectronics | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 10A | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | D²PAK | No Recovery Time > 500mA (Io) | 100µA @ 650V | 480pF @ 0V, 1MHz | 1.75V @ 10A | 650V | 0ns | -40°C ~ 175°C | Automotive, AEC-Q101 | ||
| C4D10120A | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2 | Wolfspeed, Inc. | TO-220-2 | 33A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 250µA @ 1200V | 754pF @ 0V, 1MHz | 1.8V @ 10A | 1200V | 0ns | -55°C ~ 175°C | Z-Rec® |
- 10
- 15
- 50
- 100