- Тип диода
- Производитель
- Тип корпуса
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
Конфигурация диода
|
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GC10MPS12-252 | SIC DIODE 1200V 10A TO-252-2 | GeneSiC Semiconductor | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | 50A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | TO-252-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 10µA @ 1200V | 660pF @ 1V, 1MHz | 1.8V @ 10A | 1200V | 0ns | -55°C ~ 175°C | SiC Schottky MPS™ | ||
| G4S06510HT | SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A 2-PI | Global Power Technology-GPT | TO-220-2 Full Pack | 20A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220F | No Recovery Time > 500mA (Io) | 50µA @ 650V | 550pF @ 0V, 1MHz | 1.7V @ 10A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | |||
| IDK10G65C5XTMA1 | DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO263-2 | Infineon Technologies | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 10A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | PG-TO263-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 1.7mA @ 650V | 300pF @ 1V, 1MHz | 1.8V @ 10A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | CoolSiC™+ | ||
| IDH16G65C5XKSA2 | DIODE SCHOTKY 650V 16A TO220-2-1 | Infineon Technologies | TO-220-2 | 16A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | PG-TO220-2-1 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 200µA @ 650V | 470pF @ 1V, 1MHz | 1.7V @ 16A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | CoolSiC™+ | ||
| SS150TC60110 | DIODE ARRAY SCHOTTKY 600V DE150 | IXYS-RF | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | DE150 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 50µA @ 600V | 1.8V @ 5A | 600V | 0ns | -55°C ~ 175°C | 3 Common Cathode | 10A | |||
| PCDB0465G1_T0_00001 | 650V SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE | Panjit International Inc. | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 4A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | TO-263 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 40µA @ 650V | 146pF @ 1V, 1MHz | 1.7V @ 4A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | |||
| GHXS010A060S-D3 | DIODE SBD SCHOTT 600V 10A SOT227 | SemiQ | SOT-227-4, miniBLOC | Silicon Carbide Schottky | Chassis Mount | SOT-227 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 100µA @ 600V | 1.7V @ 10A | 600V | -55°C ~ 175°C | 2 Independent | 10A | ||||
| GP2D006A065A | DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2 | SemiQ | TO-220-2 | 6A | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 60µA @ 650V | 316pF @ 1V, 1MHz | 1.65V @ 6A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | AMP | ||
| S4D10120H | DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S | SMC Diode Solutions | TO-247-2 | 10A | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-247AC | No Recovery Time > 500mA (Io) | 30µA @ 1200V | 772pF @ 0V, 1MHz | 1.8V @ 10A | 1200V | 0ns | -55°C ~ 175°C | |||
| VS-C06ET07T-M3 | DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220AC | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | TO-220-2 | 6A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220AC | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 75µA @ 650V | 250pF @ 1V, 1MHz | 1.7V @ 6A | 650V | -55°C ~ 175°C | ||||
| C3D06060A | DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220-2 | Wolfspeed, Inc. | TO-220-2 | 19A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 50µA @ 600V | 294pF @ 0V, 1MHz | 1.8V @ 6A | 600V | 0ns | -55°C ~ 175°C | Z-Rec® | ||
| C3D10065A | DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2 | Wolfspeed, Inc. | TO-220-2 | 30A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 60µA @ 650V | 480pF @ 0V, 1MHz | 1.8V @ 10A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | Z-Rec® | ||
| C6D10065G-TR | 10A 650V SIC SCHOTTKY DIODE | Wolfspeed, Inc. | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 36A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | TO-263-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 20µA @ 650V | 611pF @ 0V, 1MHz | 1.4V @ 10A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | |||
| C6D08065E | GEN 6 650V 8 A SBD | Wolfspeed, Inc. | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | 29A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | TO-252-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 40µA @ 650V | 518pF @ 0V, 1MHz | 1.5V @ 8A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | Z-Rec® | ||
| CSD10060G | DIODE SCHOTTKY 600V 16.5A TO263 | Wolfspeed, Inc. | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 16.5A | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | TO-263-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 200µA @ 600V | 550pF @ 0V, 1MHz | 1.8V @ 10A | 600V | 0ns | -55°C ~ 175°C |
- 10
- 15
- 50
- 100