- Тип диода
- Производитель
- Тип корпуса
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
-
- Производитель: Global Power Technology Co. Ltd
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2
- Тип корпуса: TO-220AC
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
- Средний выпрямленный ток (Io): 22A (DC)
- Прямое напряжение: 1.7V @ 5A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 50µA @ 1200V
- Емкость @ Vr, F: 475pF @ 0V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
-
- Производитель: Wolfspeed, Inc.
- Серия: Z-Rec®
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab
- Тип корпуса: TO-220-2 Isolated Tab
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
- Средний выпрямленный ток (Io): 16.5A (DC)
- Прямое напряжение: 1.8V @ 8A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 60µA @ 650V
- Емкость @ Vr, F: 441pF @ 0V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
-
- Производитель: SMC Diode Solutions
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Тип корпуса: D2PAK
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
- Средний выпрямленный ток (Io): 5A
- Прямое напряжение: 1.7V @ 5A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 60µA @ 650V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
-
- Производитель: PN Junction Semiconductor
- Серия: P3D
- Package / Case: TO-247-2
- Тип корпуса: TO-247-2
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
- Средний выпрямленный ток (Io): 51A (DC)
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 60µA @ 650V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C (TJ)
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2
- Тип корпуса: TO-220AC
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
- Средний выпрямленный ток (Io): 6A
- Прямое напряжение: 1.75V @ 6A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 60µA @ 650V
- Емкость @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 175°C
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: CoolSiC™+
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2
- Тип корпуса: PG-TO220-2-2
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
- Средний выпрямленный ток (Io): 6A (DC)
- Прямое напряжение: 1.7V @ 6A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 200µA @ 600V
- Емкость @ Vr, F: 300pF @ 0V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
-
- Производитель: SMC Diode Solutions
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Тип корпуса: D2PAK
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
- Средний выпрямленный ток (Io): 6A
- Прямое напряжение: 1.8V @ 6A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 50µA @ 650V
- Емкость @ Vr, F: 150pF @ 5V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
-
- Производитель: Global Power Technology Co. Ltd
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Тип корпуса: TO-263
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
- Средний выпрямленный ток (Io): 34A (DC)
- Прямое напряжение: 1.7V @ 10A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 50µA @ 650V
- Емкость @ Vr, F: 690pF @ 0V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2
- Тип корпуса: TO-220AC
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
- Средний выпрямленный ток (Io): 6A
- Прямое напряжение: 1.5V @ 6A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 120µA @ 600V
- Емкость @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: 175°C (Max)
-
- Производитель: PN Junction Semiconductor
- Серия: P3D
- Package / Case: TO-220-2
- Тип корпуса: TO-220-2
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
- Средний выпрямленный ток (Io): 21A (DC)
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 44 µA @ 650 V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C (TJ)
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: CoolSiC™+
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 4-PowerTSFN
- Тип корпуса: PG-VSON-4
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
- Средний выпрямленный ток (Io): 2A (DC)
- Прямое напряжение: 1.7V @ 2A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 35µA @ 650V
- Емкость @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
-
- Производитель: SMC Diode Solutions
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2 Full Pack
- Тип корпуса: ITO-220AC (TO-220-2F)
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
- Средний выпрямленный ток (Io): 6A
- Прямое напряжение: 1.7V @ 6A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 8 µA @ 650 V
- Емкость @ Vr, F: 382pF @ 0V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
-
- Производитель: WeEn Semiconductors
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247-3
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
- Средний выпрямленный ток (Io): 40A
- Прямое напряжение: 1.75V @ 20A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 200µA @ 1200V
- Емкость @ Vr, F: 810pF @ 1V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: 175°C (Max)
-
- Производитель: Global Power Technology-GPT
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2 Full Pack
- Тип корпуса: TO-220F
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
- Средний выпрямленный ток (Io): 15.4A (DC)
- Прямое напряжение: 1.7V @ 5A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 50µA @ 650V
- Емкость @ Vr, F: 424pF @ 0V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2
- Тип корпуса: TO-220AC
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
- Средний выпрямленный ток (Io): 12A
- Прямое напряжение: 1.7V @ 12A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 150µA @ 600V
- Емкость @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 175°C
- 10
- 15
- 50
- 100