- Тип диода
- Производитель
- Тип корпуса
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
Конфигурация диода
|
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
|
Серия
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
G3S12005A | SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 5A 2-PI | Global Power Technology Co. Ltd | TO-220-2 | 22A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220AC | No Recovery Time > 500mA (Io) | 50µA @ 1200V | 475pF @ 0V, 1MHz | 1.7V @ 5A | 1200V | 0ns | -55°C ~ 175°C | |||
G3S06510D | SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A 2-PI | Global Power Technology Co. Ltd | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 34A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | TO-263 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 50µA @ 650V | 690pF @ 0V, 1MHz | 1.7V @ 10A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | |||
G3S06505H | SIC SCHOTTKY DIODE 650V 5A 2-PIN | Global Power Technology-GPT | TO-220-2 Full Pack | 15.4A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220F | No Recovery Time > 500mA (Io) | 50µA @ 650V | 424pF @ 0V, 1MHz | 1.7V @ 5A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | |||
SDT06S60 | DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220-2 | Infineon Technologies | TO-220-2 | 6A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | PG-TO220-2-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 200µA @ 600V | 300pF @ 0V, 1MHz | 1.7V @ 6A | 600V | 0ns | -55°C ~ 175°C | CoolSiC™+ | ||
IDL02G65C5XUMA1 | DIODE SCHOTTKY 650V 2A VSON-4 | Infineon Technologies | 4-PowerTSFN | 2A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | PG-VSON-4 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 35µA @ 650V | 70pF @ 1V, 1MHz | 1.7V @ 2A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | CoolSiC™+ | ||
P3D12020K2 | DIODE SCHOTTKY 1200V 50A TO247-2 | PN Junction Semiconductor | TO-247-2 | 51A (DC) | Silicon Carbide Schottky | TO-247-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 60µA @ 650V | 1200V | 0ns | -55°C ~ 175°C (TJ) | P3D | |||||
P3D12005T2 | DIODE SCHOTTKY 1200V 5A TO220-2 | PN Junction Semiconductor | TO-220-2 | 21A (DC) | Silicon Carbide Schottky | TO-220-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 44 µA @ 650 V | 1200V | 0ns | -55°C ~ 175°C (TJ) | P3D | |||||
SCS106AGC | DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220AC | Rohm Semiconductor | TO-220-2 | 6A | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220AC | No Recovery Time > 500mA (Io) | 120µA @ 600V | 260pF @ 1V, 1MHz | 1.5V @ 6A | 600V | 0ns | 175°C (Max) | |||
SICRB6650TR | DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S | SMC Diode Solutions | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 6A | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | D2PAK | No Recovery Time > 500mA (Io) | 50µA @ 650V | 150pF @ 5V, 1MHz | 1.8V @ 6A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | |||
SICRB10650CTTR | DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S | SMC Diode Solutions | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 5A | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | D2PAK | No Recovery Time > 500mA (Io) | 60µA @ 650V | 1.7V @ 5A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | ||||
S3D06065F | DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S | SMC Diode Solutions | TO-220-2 Full Pack | 6A | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | ITO-220AC (TO-220-2F) | No Recovery Time > 500mA (Io) | 8 µA @ 650 V | 382pF @ 0V, 1MHz | 1.7V @ 6A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | |||
STPSC6H065D | DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220AC | STMicroelectronics | TO-220-2 | 6A | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220AC | No Recovery Time > 500mA (Io) | 60µA @ 650V | 300pF @ 0V, 1MHz | 1.75V @ 6A | 650V | 0ns | -40°C ~ 175°C | |||
STPSC1206D | DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO220AC | STMicroelectronics | TO-220-2 | 12A | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220AC | No Recovery Time > 500mA (Io) | 150µA @ 600V | 750pF @ 0V, 1MHz | 1.7V @ 12A | 600V | 0ns | -40°C ~ 175°C | |||
WNSC401200CWQ | SILICON CARBIDE POWER DIODE | WeEn Semiconductors | TO-247-3 | 40A | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-247-3 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 200µA @ 1200V | 810pF @ 1V, 1MHz | 1.75V @ 20A | 1200V | 0ns | 175°C (Max) | |||
C3D08065I | DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2 | Wolfspeed, Inc. | TO-220-2 Isolated Tab | 16.5A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220-2 Isolated Tab | No Recovery Time > 500mA (Io) | 60µA @ 650V | 441pF @ 0V, 1MHz | 1.8V @ 8A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | Z-Rec® |
- 10
- 15
- 50
- 100