- Тип диода
- Производитель
- Тип корпуса
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
Конфигурация диода
|
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| G4S06510QT | SIC SCHOTTKY DIODE 650V 10A DFN8 | Global Power Technology Co. Ltd | 4-PowerTSFN | 44.9A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | 4-DFN (8x8) | No Recovery Time > 500mA (Io) | 50µA @ 650V | 550pF @ 0V, 1MHz | 1.7V @ 10A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | |||
| G3S06530P | SIC SCHOTTKY DIODE 650V 30A 2-PI | Global Power Technology-GPT | TO-247-2 | 95A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-247AC | No Recovery Time > 500mA (Io) | 50µA @ 650V | 2150pF @ 0V, 1MHz | 1.7V @ 30A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | |||
| G51XT | SIC SCHOTTKY DIODE 650V 1A SOD12 | Global Power Technology-GPT | SOD-123F | 1.84A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | SOD-123FL | No Recovery Time > 500mA (Io) | 50µA @ 650V | 57.5pF @ 0V, 1MHz | 1.6V @ 1A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | |||
| G3S12015A | SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 15A 2-P | Global Power Technology-GPT | TO-220-2 | 57A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220AC | No Recovery Time > 500mA (Io) | 50µA @ 1200V | 1700pF @ 0V, 1MHz | 1.7V @ 15A | 1200V | 0ns | -55°C ~ 175°C | |||
| SDD04S60 | DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO252-3 | Infineon Technologies | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | 4A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | PG-TO252-3-11 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 200µA @ 600V | 150pF @ 0V, 1MHz | 1.9V @ 4A | 600V | 0ns | -55°C ~ 175°C | CoolSiC™+ | ||
| SS150TI60110 | DIODE ARRAY SCHOTTKY 600V DE150 | IXYS-RF | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | DE150 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 50µA @ 600V | 1.8V @ 5A | 600V | 0ns | -55°C ~ 175°C | 3 Independent | 10A | |||
| MSC010SDA120K | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2 | Microchip Technology | TO-220-2 | 10A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220 [K] | No Recovery Time > 500mA (Io) | 1.5V @ 10A | 1200V | 0ns | ||||||
| APT10SCD120BCT | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 | Microsemi Corporation | TO-247-3 | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-247 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 200µA @ 1200V | 1.8V @ 10A | 1200V | 0ns | -55°C ~ 150°C | 1 Pair Common Cathode | 36A (DC) | |||
| FFSH3065A | 650V 30A SIC SBD | onsemi | TO-247-2 | 26A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-247-2 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 200µA @ 650V | 1705pF @ 1V, 100kHz | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | ||||
| PCDP1065G1_T0_00001 | TO-220AC, SIC | Panjit International Inc. | TO-220-2 | 10A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220AC | No Recovery Time > 500mA (Io) | 70µA @ 650V | 364pF @ 1V, 1MHz | 1.7V @ 10A | 650V | 0ns | -55°C ~ 175°C | |||
| SCS230AE2HRC11 | 650V, 30A, 3-PIN THD, SILICON-CA | Rohm Semiconductor | TO-247-3 | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-247N | No Recovery Time > 500mA (Io) | 300µA @ 600V | 1.55V @ 15A | 650V | 0ns | 175°C | 1 Pair Common Cathode | 15A (DC) | |||
| SCS208AMC | DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220FM | Rohm Semiconductor | TO-220-2 Full Pack | 8A | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220FM | No Recovery Time > 500mA (Io) | 160µA @ 600V | 291pF @ 1V, 1MHz | 1.55V @ 8A | 650V | 0ns | 175°C (Max) | |||
| SCS312AJTLL | DIODES SILICON CARBIDE | Rohm Semiconductor | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 12A (DC) | Silicon Carbide Schottky | Surface Mount | LPTL | No Recovery Time > 500mA (Io) | 60µA @ 650V | 600pF @ 1V, 1MHz | 1.5V @ 12A | 650V | 0ns | 175°C (Max) | |||
| STPSC12065D | DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220AC | STMicroelectronics | TO-220-2 | 12A | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220AC | No Recovery Time > 500mA (Io) | 150µA @ 650V | 750pF @ 0V, 1MHz | 1.45V @ 12A | 650V | 0ns | -40°C ~ 175°C | ECOPACK®2 | ||
| STPSC1006D | DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO220AC | STMicroelectronics | TO-220-2 | 10A | Silicon Carbide Schottky | Through Hole | TO-220AC | No Recovery Time > 500mA (Io) | 300µA @ 600V | 650pF @ 0V, 1MHz | 1.75V @ 10A | 600V | 0ns | -40°C ~ 175°C |
- 10
- 15
- 50
- 100