- Тип диода
- Производитель
- Тип корпуса
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Die
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
- Средний выпрямленный ток (Io): 30A
- Прямое напряжение: 1.75V @ 30A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 200µA @ 650V
- Рабочая температура перехода: 175°C (Max)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: GeneSiC Semiconductor
- Серия: SiC Schottky MPS™
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247-3
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 19A (DC)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Серия: Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2
- Тип корпуса: TO-220AC
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
- Средний выпрямленный ток (Io): 20A
- Прямое напряжение: 1.45V @ 20A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 150µA @ 600V
- Емкость @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Global Power Technology Co. Ltd
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: TO-252
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
- Средний выпрямленный ток (Io): 28.9A (DC)
- Прямое напряжение: 1.7V @ 8A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 50µA @ 1200V
- Емкость @ Vr, F: 550pF @ 0V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: SMC Diode Solutions
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab
- Тип корпуса: TO-220-Isolation
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
- Средний выпрямленный ток (Io): 17A
- Прямое напряжение: 1.7V @ 3A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 2 µA @ 650 V
- Емкость @ Vr, F: 230pF @ 0V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Global Power Technology-GPT
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: TO-252
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
- Средний выпрямленный ток (Io): 8.8A (DC)
- Прямое напряжение: 1.7V @ 2A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 50µA @ 1200V
- Емкость @ Vr, F: 170pF @ 0V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: IXYS
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
- Тип корпуса: SOT-227B
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
- Прямое напряжение: 1.8V @ 20A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 100µA @ 1200V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
- Конфигурация диода: 2 Independent
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 42A (DC)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-2 Full Pack
- Тип корпуса: TO-220FM
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
- Средний выпрямленный ток (Io): 12A (DC)
- Прямое напряжение: 1.5V @ 12A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 60µA @ 650V
- Емкость @ Vr, F: 600pF @ 1V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: 175°C (Max)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: SemiQ
- Серия: AMP
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: TO-252, (D-Pak)
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A
- Прямое напряжение: 1.65V @ 10A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Ток утечки: 100µA @ 650V
- Емкость @ Vr, F: 527pF @ 1V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Global Power Technology Co. Ltd
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247AB
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
- Прямое напряжение: 1.7V @ 2A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 50µA @ 1200V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 8.5A (DC)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Серия: Zero Recovery™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: TO-252-2
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
- Средний выпрямленный ток (Io): 17.5A (DC)
- Прямое напряжение: 1.8V @ 5A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 200µA @ 1200V
- Емкость @ Vr, F: 455pF @ 0V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247-3
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1200V
- Средний выпрямленный ток (Io): 15A (DC)
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 200µA @ 1200V
- Емкость @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Серия: CoolSiC™+
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 4-PowerTSFN
- Тип корпуса: PG-VSON-4
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 650V
- Средний выпрямленный ток (Io): 8A (DC)
- Прямое напряжение: 1.7V @ 8A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Ток утечки: 140µA @ 650V
- Емкость @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Module
- Тип корпуса: D1P
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1700V
- Прямое напряжение: 1.8V @ 100A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 175°C
- Конфигурация диода: 1 Pair Common Cathode
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод: 100A (DC)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Тип диода: Silicon Carbide Schottky
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 700V
- Средний выпрямленный ток (Io): 10A (DC)
- Прямое напряжение: 1.5V @ 10A
- Скорость: No Recovery Time > 500mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 0ns
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100