- Тип диода
- Производитель
- Тип корпуса
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Средний выпрямленный ток (Io)
|
Тип диода
|
Вид монтажа
|
Тип корпуса
|
Скорость
|
Ток утечки
|
Емкость @ Vr, F
|
Прямое напряжение
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Время обратного восстановления (trr)
|
Рабочая температура перехода
|
Конфигурация диода
|
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
|
Серия
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BYG10J-AQ | ST Rect, 600V, 1.5A | Diotec Semiconductor | DO-214AC, SMA | 1.5A | Avalanche | Surface Mount | DO-214AC (SMA) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 5µA @ 600V | 1.15V @ 1.5A | 600V | 1.5µs | -50°C ~ 150°C | ||||
RURU50120 | RECTIFIER DIODE | Harris Corporation | TO-218-1 | 50A | Avalanche | Chassis Mount | TO-218 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 500µA @ 1200V | 2.1V @ 50A | 1200V | 200ns | -65°C ~ 175°C | ||||
DAA10EM1800PZ-TUB | POWER DIODE DISCRETES-RECTIFIER | IXYS | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 10A | Avalanche | Surface Mount | TO-263HV | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 10µA @ 1800V | 4pF @ 400V, 1MHz | 1.21V @ 10A | 1800V | -55°C ~ 175°C | ||||
DSA9-16F | DIODE AVALANCHE 1.6KV 11A DO203 | IXYS | DO-203AA, DO-4, Stud | 11A | Avalanche | Chassis, Stud Mount | DO-203AA | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 3mA @ 1600V | 1.4V @ 36A | 1600V | -40°C ~ 180°C | |||||
1N5622C.TR | DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL | Semtech Corporation | Axial | 2A | Avalanche | Through Hole | Axial | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 500nA @ 1000V | 23pF @ 5V, 1MHz | 1.1V @ 1A | 1000V | 2µs | -65°C ~ 175°C | |||
BYT78-TAP | DIODE AVALANCHE 1KV 3A SOD64 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | SOD-64, Axial | 3A | Avalanche | Through Hole | SOD-64 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 5µA @ 1000V | 1.2V @ 3A | 1000V | 250ns | -55°C ~ 175°C | ||||
AS3PJHM3/87A | DIODE AVALANCHE 600V 2.1A TO277A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | TO-277, 3-PowerDFN | 2.1A (DC) | Avalanche | Surface Mount | TO-277A (SMPC) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 10µA @ 600V | 37pF @ 4V, 1MHz | 920mV @ 1.5A | 600V | 1.2µs | -55°C ~ 175°C | eSMP® | ||
AU1PG-M3/85A | DIODE AVALANCHE 400V 1A DO220AA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | DO-220AA | 1A | Avalanche | Surface Mount | DO-220AA (SMP) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1µA @ 400V | 11pF @ 4V, 1MHz | 1.5V @ 1A | 400V | 75ns | -55°C ~ 175°C | eSMP® | ||
BYG21K-M3/TR | DIODE AVALANCHE 800V 1.5A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | DO-214AC, SMA | 1.5A | Avalanche | Surface Mount | DO-214AC (SMA) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 1µA @ 800V | 1.6V @ 1.5A | 800V | 120ns | -55°C ~ 150°C | ||||
BYG23MHM3_A/I | DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | DO-214AC, SMA | 1.5A | Avalanche | Surface Mount | DO-214AC (SMA) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 5µA @ 1000V | 1.7V @ 1A | 1000V | 75ns | -55°C ~ 150°C | Automotive, AEC-Q101 | |||
BYT53F-TAP | DIODE AVALANCHE 300V 1.9A SOD57 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | SOD-57, Axial | 1.9A | Avalanche | Through Hole | SOD-57 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 5µA @ 300V | 1.1V @ 1A | 300V | 50ns | -55°C ~ 175°C | ||||
AGP15-400-E3/54 | DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO204 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | DO-204AC, DO-15, Axial | 1.5A | Avalanche | Through Hole | DO-204AC (DO-15) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 5µA @ 400V | 1.1V @ 1.5A | 400V | 2µs | -65°C ~ 175°C | SUPERECTIFIER® | |||
BYG10J-M3/TR3 | DIODE AVALANCHE 600V 1.5A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | DO-214AC, SMA | 1.5A | Avalanche | Surface Mount | DO-214AC (SMA) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 1µA @ 600V | 1.15V @ 1.5A | 600V | 4µs | -55°C ~ 150°C | ||||
BYG10G-M3/TR | DIODE AVALANCHE 400V 1.5A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | DO-214AC, SMA | 1.5A | Avalanche | Surface Mount | DO-214AC (SMA) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 1µA @ 400V | 1.15V @ 1.5A | 400V | 4µs | -55°C ~ 150°C | ||||
AS1PJHM3/84A | DIODE AVALANCHE 600V 1.5A DO220 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | DO-220AA | 1.5A (DC) | Avalanche | Surface Mount | DO-220AA (SMP) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 5µA @ 600V | 10.4pF @ 4V, 1MHz | 1.15V @ 1.5A | 600V | 1.5µs | -55°C ~ 175°C | Automotive, AEC-Q101, eSMP® |
- 10
- 15
- 50
- 100