• Тип диода
  • Производитель
  • Тип корпуса
    • Конфигурация
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Скорость
    • Мощность - Макс.
    • Напряжение стабилизации
    • Имеданс (Макс) (Zzt)
    • Ток утечки
    • Ток, макс.
    • Емкость @ Vr, F
    • Прямое напряжение
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Сопротивление @ If, F
    • Коэфициент емкости
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • Рабочая температура перехода
    • Конфигурация диода
    • Параметры коэфициента емкости
    • Добротность @ Vr, F
    • Средний выпрямленный ток (Io) на диод
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 886
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Средний выпрямленный ток (Io)
Тип диода
Вид монтажа
Тип корпуса
Скорость
Ток утечки
Емкость @ Vr, F
Прямое напряжение
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
Время обратного восстановления (trr)
Рабочая температура перехода
Конфигурация диода
Средний выпрямленный ток (Io) на диод
Серия
RURD1515 RECTIFIER DIODE, 15A, 150V Harris Corporation TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC Avalanche Through Hole TO-218 Isolated Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 150V 1.05V @ 15A 150V 35ns -55°C ~ 175°C 1 Pair Common Cathode 15A
RURP1570 RECTIFIER DIODE Harris Corporation TO-220-2 15A Avalanche Through Hole TO-220AC Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 100 µA @ 700 V 1.8V @ 15A 700V 125ns -65°C ~ 175°C
DSA75-18B DIODE AVALANCHE 1.8KV 110A DO203 IXYS DO-203AB, DO-5, Stud 110A Avalanche Chassis, Stud Mount DO-203AB Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 6mA @ 1800V 1.17V @ 150A 1800V -40°C ~ 180°C
AU2PMHM3_A/I DIODE AVALANCH 1KV 1.3A TO277A Vishay General Semiconductor - Diodes Division TO-277, 3-PowerDFN 1.3A Avalanche Surface Mount TO-277A (SMPC) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 1000V 29pF @ 4V, 1MHz 2.5V @ 2A 1000V 75ns -55°C ~ 175°C Automotive, AEC-Q101, eSMP®
BYG23T-M3/TR3 DIODE AVALANCHE 1300V 1A DO214AC Vishay General Semiconductor - Diodes Division DO-214AC, SMA 1A (DC) Avalanche Surface Mount DO-214AC (SMA) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5µA @ 1300V 9pF @ 4V, 1MHz 1.9V @ 1A 1300V 75ns -55°C ~ 150°C
BYG21K-E3/TR3 DIODE AVALANCHE 800V 1.5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division DO-214AC, SMA 1.5A Avalanche Surface Mount DO-214AC (SMA) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1µA @ 800V 1.6V @ 1.5A 800V 120ns -55°C ~ 150°C
BYM36C-TAP DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SOD-64, Axial 3A Avalanche Through Hole SOD-64 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5µA @ 600V 1.6V @ 3A 600V 100ns -55°C ~ 175°C
BYG10JHM3_A/I DIODE AVALANCHE 600V 1.5A DO214 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DO-214AC, SMA 1.5A Avalanche Surface Mount DO-214AC (SMA) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1µA @ 600V 1.15V @ 1.5A 600V 4µs -55°C ~ 150°C Automotive, AEC-Q101
AR1PJ-M3/85A DIODE AVALANCHE 600V 1A DO220AA Vishay General Semiconductor - Diodes Division DO-220AA 1A Avalanche Surface Mount DO-220AA (SMP) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1µA @ 600V 12.5pF @ 4V, 1MHz 1.25V @ 1A 600V 140ns -55°C ~ 175°C eSMP®
BYW178-TAP DIODE AVALANCHE 800V 3A SOD64 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SOD-64, Axial 3A Avalanche Through Hole SOD-64 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1µA @ 800V 1.9V @ 3A 800V 60ns -55°C ~ 175°C
AR4PKHM3/87A DIODE AVALANCHE 800V 1.8A TO277A Vishay General Semiconductor - Diodes Division TO-277, 3-PowerDFN 1.8A (DC) Avalanche Surface Mount TO-277A (SMPC) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 10µA @ 800V 55pF @ 4V, 1MHz 1.9V @ 4A 800V 120ns -55°C ~ 175°C eSMP®
BY228-13TR DIODE AVALANCHE 1KV 3A SOD64 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SOD-64, Axial 3A Avalanche Through Hole SOD-64 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 5µA @ 1000V 1.5V @ 5A 1000V 2µs 140°C (Max)
BYG10D-M3/TR DIODE AVALANCHE 200V 1.5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division DO-214AC, SMA 1.5A Avalanche Surface Mount DO-214AC (SMA) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1µA @ 200V 1.15V @ 1.5A 200V 4µs -55°C ~ 150°C
BYG10G-M3/TR3 DIODE AVALANCHE 400V 1.5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division DO-214AC, SMA 1.5A Avalanche Surface Mount DO-214AC (SMA) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1µA @ 400V 1.15V @ 1.5A 400V 4µs -55°C ~ 150°C
BYG21M-M3/TR DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division DO-214AC, SMA 1.5A Avalanche Surface Mount DO-214AC (SMA) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 1µA @ 1000V 1.6V @ 1.5A 1000V 120ns -55°C ~ 150°C
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100