- Тип диода
- Производитель
- Тип корпуса
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: SOD-64, Axial
- Тип корпуса: SOD-64
- Тип диода: Avalanche
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
- Средний выпрямленный ток (Io): 3A
- Прямое напряжение: 1V @ 3A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 7.5µs
- Ток утечки: 1µA @ 600V
- Емкость @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: SOD-57, Axial
- Тип корпуса: SOD-57
- Тип диода: Avalanche
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 500V
- Средний выпрямленный ток (Io): 2A
- Прямое напряжение: 1.1V @ 1A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 200ns
- Ток утечки: 5µA @ 500V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: DO-214AC, SMA
- Тип корпуса: DO-214AC (SMA)
- Тип диода: Avalanche
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 800V
- Средний выпрямленный ток (Io): 1.5A
- Прямое напряжение: 1.15V @ 1.5A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 4µs
- Ток утечки: 1µA @ 800V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
-
- Производитель: Harris Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247
- Тип диода: Avalanche
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 700V
- Средний выпрямленный ток (Io): 75A
- Прямое напряжение: 3V @ 75A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 100ns
- Ток утечки: 500 µA @ 700 V
- Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
-
- Производитель: IXYS
- Вид монтажа: Chassis, Stud Mount
- Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
- Тип корпуса: DO-203AA
- Тип диода: Avalanche
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1600V
- Средний выпрямленный ток (Io): 25A
- Прямое напряжение: 1.36V @ 55A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Ток утечки: 4mA @ 1600V
- Рабочая температура перехода: -40°C ~ 180°C
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: DO-214AC, SMA
- Тип корпуса: DO-214AC (SMA)
- Тип диода: Avalanche
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
- Средний выпрямленный ток (Io): 2A
- Прямое напряжение: 1.1V @ 2A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 25ns
- Ток утечки: 1µA @ 200V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: SOD-64, Axial
- Тип корпуса: SOD-64
- Тип диода: Avalanche
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1000V
- Средний выпрямленный ток (Io): 3A
- Прямое напряжение: 1.5V @ 5A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 2µs
- Ток утечки: 5µA @ 1000V
- Рабочая температура перехода: 140°C (Max)
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: SOD-64, Axial
- Тип корпуса: SOD-64
- Тип диода: Avalanche
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 400V
- Средний выпрямленный ток (Io): 3A
- Прямое напряжение: 1V @ 3A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 3µs
- Ток утечки: 1µA @ 400V
- Емкость @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: Automotive, AEC-Q101, eSMP®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: DO-220AA
- Тип корпуса: DO-220AA (SMP)
- Тип диода: Avalanche
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
- Средний выпрямленный ток (Io): 1A
- Прямое напряжение: 1.5V @ 1A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 75ns
- Ток утечки: 1µA @ 600V
- Емкость @ Vr, F: 11pF @ 4V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: DO-214AC, SMA
- Тип корпуса: DO-214AC (SMA)
- Тип диода: Avalanche
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 400V
- Средний выпрямленный ток (Io): 1.5A
- Прямое напряжение: 1.25V @ 1.5A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 140ns
- Ток утечки: 1µA @ 400V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: eSMP®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
- Тип корпуса: TO-277A (SMPC)
- Тип диода: Avalanche
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 800V
- Средний выпрямленный ток (Io): 2.4A (DC)
- Прямое напряжение: 962mV @ 2A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 1.8µs
- Ток утечки: 10µA @ 800V
- Емкость @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: DO-214AC, SMA
- Тип корпуса: DO-214AC (SMA)
- Тип диода: Avalanche
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
- Средний выпрямленный ток (Io): 1.5A
- Прямое напряжение: 1.4V @ 1.5A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 75ns
- Ток утечки: 1µA @ 600V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: DO-214AC, SMA
- Тип корпуса: DO-214AC (SMA)
- Тип диода: Avalanche
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
- Средний выпрямленный ток (Io): 1.5A
- Прямое напряжение: 1.4V @ 1.5A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 75ns
- Ток утечки: 1µA @ 600V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: Automotive, AEC-Q101, eSMP®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
- Тип корпуса: TO-277A (SMPC)
- Тип диода: Avalanche
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
- Средний выпрямленный ток (Io): 1.8A
- Прямое напряжение: 1.6V @ 3A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 140ns
- Ток утечки: 10µA @ 600V
- Емкость @ Vr, F: 44pF @ 4V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: Automotive, AEC-Q101, eSMP®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: DO-220AA
- Тип корпуса: DO-220AA (SMP)
- Тип диода: Avalanche
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
- Средний выпрямленный ток (Io): 1A
- Прямое напряжение: 1.5V @ 1A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 75ns
- Ток утечки: 1µA @ 200V
- Емкость @ Vr, F: 11pF @ 4V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
- 10
- 15
- 50
- 100