• Тип диода
  • Производитель
  • Тип корпуса
Найдено: 886
  • DIODE AVALANCHE 400V 1.8A TO277A
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Серия: Automotive, AEC-Q101, eSMP®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
    • Тип корпуса: TO-277A (SMPC)
    • Тип диода: Avalanche
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 400V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1.8A
    • Прямое напряжение: 1.6V @ 3A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 140ns
    • Ток утечки: 10µA @ 200V
    • Емкость @ Vr, F: 44pF @ 4V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE AVALANCHE 50V 1.5A SOD57
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: SOD-57, Axial
    • Тип корпуса: SOD-57
    • Тип диода: Avalanche
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 50V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1.5A
    • Прямое напряжение: 1.1V @ 1A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 4µs
    • Ток утечки: 1µA @ 50V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE AVALANCHE 800V 1.25A SOD57
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: SOD-57, Axial
    • Тип корпуса: SOD-57
    • Тип диода: Avalanche
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 800V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1.25A
    • Прямое напряжение: 1.5V @ 1A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 100ns
    • Ток утечки: 5µA @ 800V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE AVALANCHE 200V 2.1A TO277A
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Серия: eSMP®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
    • Тип корпуса: TO-277A (SMPC)
    • Тип диода: Avalanche
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 2.1A (DC)
    • Прямое напряжение: 920mV @ 1.5A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 1.2µs
    • Ток утечки: 10µA @ 200V
    • Емкость @ Vr, F: 37pF @ 4V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE AVALANCHE 200V 1.5A
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: DO-214AC, SMA
    • Тип корпуса: DO-214AC (SMA)
    • Тип диода: Avalanche
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1.5A
    • Прямое напряжение: 1.25V @ 1.5A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 140ns
    • Ток утечки: 1µA @ 200V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE AVALANCHE 600V 2.1A TO277A
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Серия: Automotive, AEC-Q101, eSMP®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
    • Тип корпуса: TO-277A (SMPC)
    • Тип диода: Avalanche
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 2.1A
    • Прямое напряжение: 1.1V @ 3A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 1.2µs
    • Ток утечки: 10µA @ 600V
    • Емкость @ Vr, F: 37pF @ 4V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
    Semtech Corporation
    • Производитель: Semtech Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: Axial
    • Тип корпуса: Axial
    • Тип диода: Avalanche
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 800V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 2A
    • Прямое напряжение: 1.1V @ 1A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 2µs
    • Ток утечки: 500nA @ 800V
    • Емкость @ Vr, F: 23pF @ 5V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE AVALANCHE 1KV 3A SOD64
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: SOD-64, Axial
    • Тип корпуса: SOD-64
    • Тип диода: Avalanche
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1000V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 3A
    • Прямое напряжение: 1.4V @ 3A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 100ns
    • Ток утечки: 5µA @ 1000V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE AVALANCHE 200V 1A DO220AA
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Серия: eSMP®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: DO-220AA
    • Тип корпуса: DO-220AA (SMP)
    • Тип диода: Avalanche
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1A
    • Прямое напряжение: 1.25V @ 1A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 140ns
    • Ток утечки: 1µA @ 200V
    • Емкость @ Vr, F: 12.5pF @ 4V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE AVALANCHE 800V 1A DO220AA
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Серия: eSMP®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: DO-220AA
    • Тип корпуса: DO-220AA (SMP)
    • Тип диода: Avalanche
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 800V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1A
    • Прямое напряжение: 1.6V @ 1A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 120ns
    • Ток утечки: 1µA @ 800V
    • Емкость @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RECTIFIER DIODE
    Harris Corporation
    • Производитель: Harris Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: TO-218-1
    • Тип корпуса: TO-218
    • Тип диода: Avalanche
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 700V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 75A
    • Прямое напряжение: 3V @ 75A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 100ns
    • Ток утечки: 500 µA @ 700 V
    • Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE AVALANCHE 800V 1.8A TO277A
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Серия: eSMP®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
    • Тип корпуса: TO-277A (SMPC)
    • Тип диода: Avalanche
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 800V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1.8A (DC)
    • Прямое напряжение: 1.9V @ 4A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 120ns
    • Ток утечки: 10µA @ 800V
    • Емкость @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: DO-214AC, SMA
    • Тип корпуса: DO-214AC (SMA)
    • Тип диода: Avalanche
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 800V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1.5A
    • Прямое напряжение: 1.15V @ 1.5A
    • Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 4µs
    • Ток утечки: 1µA @ 800V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE AVALANCHE 200V 1.5A DO214
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: DO-214AC, SMA
    • Тип корпуса: DO-214AC (SMA)
    • Тип диода: Avalanche
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1.5A
    • Прямое напряжение: 1.25V @ 1.5A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 140ns
    • Ток утечки: 1µA @ 200V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE AVALANCHE 1KV 1.25A SOD57
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: SOD-57, Axial
    • Тип корпуса: SOD-57
    • Тип диода: Avalanche
    • Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1000V
    • Средний выпрямленный ток (Io): 1.25A
    • Прямое напряжение: 1.5V @ 1A
    • Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    • Время обратного восстановления (trr): 100ns
    • Ток утечки: 5µA @ 1000V
    • Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: