- Тип диода
- Производитель
- Тип корпуса
-
- Конфигурация
- Технология
- Рабочая температура
- Скорость
- Мощность - Макс.
- Напряжение стабилизации
- Имеданс (Макс) (Zzt)
- Ток утечки
- Ток, макс.
- Емкость @ Vr, F
- Прямое напряжение
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Сопротивление @ If, F
- Коэфициент емкости
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Время обратного восстановления (trr)
- Рабочая температура перехода
- Конфигурация диода
- Параметры коэфициента емкости
- Добротность @ Vr, F
- Средний выпрямленный ток (Io) на диод
- Серия
-
- Производитель: Harris Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-247-2
- Тип корпуса: TO-247-2
- Тип диода: Avalanche
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 700V
- Средний выпрямленный ток (Io): 50A
- Прямое напряжение: 1.9V @ 50A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 200ns
- Ток утечки: 500 µA @ 700 V
- Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: SOD-57, Axial
- Тип корпуса: SOD-57
- Тип диода: Avalanche
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
- Средний выпрямленный ток (Io): 2A
- Прямое напряжение: 1V @ 1A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 4µs
- Ток утечки: 1µA @ 200V
- Емкость @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: eSMP®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
- Тип корпуса: TO-277A (SMPC)
- Тип диода: Avalanche
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 400V
- Средний выпрямленный ток (Io): 1.7A (DC)
- Прямое напряжение: 1.9V @ 3A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 75ns
- Ток утечки: 10µA @ 400V
- Емкость @ Vr, F: 72pF @ 4V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: SOD-57, Axial
- Тип корпуса: SOD-57
- Тип диода: Avalanche
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1000V
- Средний выпрямленный ток (Io): 1.4A
- Прямое напряжение: 1.3V @ 1A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 200ns
- Ток утечки: 5µA @ 1000V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Серия: eSMP®
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
- Тип корпуса: TO-277A (SMPC)
- Тип диода: Avalanche
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 200V
- Средний выпрямленный ток (Io): 1.7A (DC)
- Прямое напряжение: 1.9V @ 3A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 75ns
- Ток утечки: 10µA @ 200V
- Емкость @ Vr, F: 72pF @ 4V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: SOD-57, Axial
- Тип корпуса: SOD-57
- Тип диода: Avalanche
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 100V
- Средний выпрямленный ток (Io): 1A
- Прямое напряжение: 1V @ 1A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 50ns
- Ток утечки: 5µA @ 600V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Harris Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: TO-218-1
- Тип корпуса: TO-218
- Тип диода: Avalanche
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 400V
- Средний выпрямленный ток (Io): 75A
- Прямое напряжение: 2.1V @ 75A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 60ns
- Ток утечки: 500µA @ 400V
- Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Harris Corporation
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: TO-252-3 (DPAK)
- Тип диода: Avalanche
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
- Средний выпрямленный ток (Io): 8A
- Прямое напряжение: 1.5V @ 8A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 70ns
- Ток утечки: 100µA @ 600V
- Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: DO-214AC, SMA
- Тип корпуса: DO-214AC (SMA)
- Тип диода: Avalanche
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1000V
- Средний выпрямленный ток (Io): 1.5A
- Прямое напряжение: 1.15V @ 1.5A
- Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 4µs
- Ток утечки: 1µA @ 1000V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: SOD-57, Axial
- Тип корпуса: SOD-57
- Тип диода: Avalanche
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 600V
- Средний выпрямленный ток (Io): 2A
- Прямое напряжение: 1.15V @ 2.5A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 4µs
- Ток утечки: 1µA @ 600V
- Емкость @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: DO-214AC, SMA
- Тип корпуса: DO-214AC (SMA)
- Тип диода: Avalanche
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1000V
- Средний выпрямленный ток (Io): 1.5A
- Прямое напряжение: 1.7V @ 1A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 75ns
- Ток утечки: 5µA @ 1000V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: DO-214AC, SMA
- Тип корпуса: DO-214AC (SMA)
- Тип диода: Avalanche
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 400V
- Средний выпрямленный ток (Io): 1.5A
- Прямое напряжение: 1.4V @ 1.5A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 75ns
- Ток утечки: 1µA @ 400V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 150°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: SOD-64, Axial
- Тип корпуса: SOD-64
- Тип диода: Avalanche
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1000V
- Средний выпрямленный ток (Io): 2.9A
- Прямое напряжение: 1.78V @ 3A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 150ns
- Ток утечки: 5µA @ 1000V
- Рабочая температура перехода: -55°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Harris Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: TO-218-1
- Тип корпуса: TO-218
- Тип диода: Avalanche
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 800V
- Средний выпрямленный ток (Io): 80A
- Прямое напряжение: 1.9V @ 80A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 200ns
- Ток утечки: 500µA @ 800V
- Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Harris Corporation
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: TO-218-1
- Тип корпуса: TO-218
- Тип диода: Avalanche
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max): 1000V
- Средний выпрямленный ток (Io): 50A
- Прямое напряжение: 1.9V @ 50A
- Скорость: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Время обратного восстановления (trr): 200ns
- Ток утечки: 500µA @ 1000V
- Рабочая температура перехода: -65°C ~ 175°C
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100