-
- Управляющий выход
- Ток коллектора (макс)
- Граничное напряжение КЭ(макс)
- Current - DC Forward (If) (Max)
- Response Time
- Серия
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 100°C
- Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
- Управляющий выход: Photodarlington
- Принцип действия: Through-Beam
- Зона чувствительности: 0.157" (4mm)
- Ток коллектора (макс): 40mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Current - DC Forward (If) (Max): 50mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 100°C
- Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
- Response Time: 8µs, 50µs
- Управляющий выход: Phototransistor
- Принцип действия: Through-Beam
- Зона чувствительности: 0.157" (4mm)
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Current - DC Forward (If) (Max): 50mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 100°C
- Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
- Response Time: 8µs, 50µs
- Управляющий выход: Phototransistor
- Принцип действия: Through-Beam
- Зона чувствительности: 0.157" (4mm)
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Current - DC Forward (If) (Max): 50mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Omron Electronics Inc-EMC Div
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -30°C ~ 85°C
- Package / Case: Module, Slotted
- Response Time: 11µs
- Управляющий выход: Phototransistor
- Принцип действия: Through-Beam
- Зона чувствительности: 0.157" (4mm)
- Ток коллектора (макс): 20mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Current - DC Forward (If) (Max): 30mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 100°C
- Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
- Response Time: 8µs, 50µs
- Управляющий выход: Phototransistor
- Принцип действия: Through-Beam
- Зона чувствительности: 0.157" (4mm)
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Current - DC Forward (If) (Max): 50mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 100°C
- Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
- Управляющий выход: Photodarlington
- Принцип действия: Through-Beam
- Зона чувствительности: 0.157" (4mm)
- Ток коллектора (макс): 40mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Current - DC Forward (If) (Max): 50mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 100°C
- Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
- Response Time: 8µs, 50µs
- Управляющий выход: Phototransistor
- Принцип действия: Through-Beam
- Зона чувствительности: 0.157" (4mm)
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Current - DC Forward (If) (Max): 50mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 100°C
- Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
- Response Time: 8µs, 50µs
- Управляющий выход: Phototransistor
- Принцип действия: Through-Beam
- Зона чувствительности: 0.157" (4mm)
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Current - DC Forward (If) (Max): 50mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -25°C ~ 85°C
- Package / Case: PCB Mount
- Response Time: 10µs, 10µs
- Управляющий выход: Phototransistor
- Принцип действия: Through-Beam
- Зона чувствительности: 0.157" (4mm)
- Ток коллектора (макс): 30mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Current - DC Forward (If) (Max): 50mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Omron Electronics Inc-EMC Div
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -30°C ~ 85°C
- Package / Case: Module, Slotted
- Response Time: 6µs
- Напряжение питания: 4.5V ~ 16V
- Управляющий выход: NPN - Open Collector/Dark-ON
- Ток питания: 10mA
- Принцип действия: Through-Beam
- Зона чувствительности: 0.157" (4mm)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Omron Electronics Inc-EMC Div
- Серия: EE-SX
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -30°C ~ 85°C (TA)
- Package / Case: Module, Slotted
- Напряжение питания: 4.5V ~ 16V
- Управляющий выход: NPN - Open Collector/Light-ON
- Ток питания: 10mA
- Принцип действия: Through-Beam
- Зона чувствительности: 0.157" (4mm)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Sharp Microelectronics
- Серия: OPIC™
- Вид монтажа: Surface Mount
- Напряжение питания: 10.8V ~ 24V
- Принцип действия: Through-Beam
- Зона чувствительности: 0.157" (4mm)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Everlight Electronics Co Ltd
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -25°C ~ 85°C
- Package / Case: Slotted Module
- Response Time: 15µs
- Управляющий выход: Phototransistor
- Принцип действия: Through-Beam
- Зона чувствительности: 0.157" (4mm)
- Ток коллектора (макс): 20mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Current - DC Forward (If) (Max): 50mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 100°C
- Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
- Response Time: 8µs, 50µs
- Управляющий выход: Phototransistor
- Принцип действия: Through-Beam
- Зона чувствительности: 0.157" (4mm)
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Current - DC Forward (If) (Max): 50mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100