Датчики, Оптические датчики, Фотопрерыватели Through-Beam 0.122" (3.1mm)
-
- Output Configuration
- Current - Collector (Ic) (Max)
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
- Current - DC Forward (If) (Max)
- Response Time
- Series
-
- Производитель: Vishay Semiconductor Opto Division
- Вид монтажа: Through Hole
- Operating Temperature: -55°C ~ 85°C
- Package / Case: PCB Mount
- Response Time: 10µs, 8µs
- Output Configuration: Phototransistor
- Принцип действия: Through-Beam
- Зона чувствительности: 0.122" (3.1mm)
- Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70V
- Current - DC Forward (If) (Max): 60mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Vishay Semiconductor Opto Division
- Вид монтажа: Through Hole
- Operating Temperature: -55°C ~ 85°C
- Package / Case: PCB Mount
- Response Time: 10µs, 8µs
- Output Configuration: Phototransistor
- Принцип действия: Through-Beam
- Зона чувствительности: 0.122" (3.1mm)
- Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70V
- Current - DC Forward (If) (Max): 60mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Vishay Semiconductor Opto Division
- Вид монтажа: Through Hole
- Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
- Package / Case: Slotted Module, 4-Lead Dual Row
- Response Time: 15µs, 10µs
- Output Configuration: Phototransistor
- Принцип действия: Through-Beam
- Зона чувствительности: 0.122" (3.1mm)
- Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70V
- Current - DC Forward (If) (Max): 60mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Everlight Electronics Co Ltd
- Вид монтажа: Through Hole
- Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
- Package / Case: Slotted Module
- Response Time: 15µs
- Output Configuration: Phototransistor
- Принцип действия: Through-Beam
- Зона чувствительности: 0.122" (3.1mm)
- Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
- Current - DC Forward (If) (Max): 50mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Vishay Semiconductor Opto Division
- Вид монтажа: Through Hole
- Operating Temperature: -55°C ~ 85°C
- Package / Case: Slotted Module, 4-Lead Dual Row
- Response Time: 10µs, 8µs
- Output Configuration: Phototransistor
- Принцип действия: Through-Beam
- Зона чувствительности: 0.122" (3.1mm)
- Current - Collector (Ic) (Max): 4mA
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70V
- Current - DC Forward (If) (Max): 60mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Vishay Semiconductor Opto Division
- Вид монтажа: Through Hole
- Operating Temperature: -55°C ~ 85°C
- Package / Case: PCB Mount
- Response Time: 10µs, 8µs
- Output Configuration: Phototransistor
- Принцип действия: Through-Beam
- Зона чувствительности: 0.122" (3.1mm)
- Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70V
- Current - DC Forward (If) (Max): 60mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100