-
- Управляющий выход
- Ток коллектора (макс)
- Граничное напряжение КЭ(макс)
- Current - DC Forward (If) (Max)
- Response Time
- Серия
-
- Производитель: Sharp Microelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -25°C ~ 85°C
- Package / Case: PCB Mount
- Response Time: 38µs, 48µs
- Управляющий выход: Phototransistor
- Принцип действия: Through-Beam
- Зона чувствительности: 0.079" (2mm)
- Ток коллектора (макс): 20mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 35V
- Current - DC Forward (If) (Max): 50mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Sharp Microelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -25°C ~ 85°C
- Package / Case: PCB Mount
- Response Time: 50µs, 50µs
- Управляющий выход: Phototransistor
- Принцип действия: Through-Beam
- Зона чувствительности: 0.079" (2mm)
- Ток коллектора (макс): 20mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 35V
- Current - DC Forward (If) (Max): 50mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Sharp Microelectronics
- Серия: OPIC™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: PCB Mount
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Управляющий выход: NPN - Open Collector
- Ток питания: 5mA
- Принцип действия: Through-Beam
- Зона чувствительности: 0.079" (2mm)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Sharp Microelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -25°C ~ 85°C
- Package / Case: PCB Mount
- Response Time: 38µs, 48µs
- Управляющий выход: Phototransistor
- Принцип действия: Through-Beam
- Зона чувствительности: 0.079" (2mm)
- Ток коллектора (макс): 20mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 35V
- Current - DC Forward (If) (Max): 50mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Sharp Microelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -25°C ~ 85°C
- Package / Case: PCB Mount
- Response Time: 38µs, 48µs
- Управляющий выход: Phototransistor
- Принцип действия: Through-Beam
- Зона чувствительности: 0.079" (2mm)
- Ток коллектора (макс): 20mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 35V
- Current - DC Forward (If) (Max): 50mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Sharp Microelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -25°C ~ 85°C
- Package / Case: PCB Mount
- Response Time: 38µs, 48µs
- Управляющий выход: Phototransistor
- Принцип действия: Through-Beam
- Зона чувствительности: 0.079" (2mm)
- Ток коллектора (макс): 20mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 35V
- Current - DC Forward (If) (Max): 50mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Sharp Microelectronics
- Серия: OPIC™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Package / Case: PCB Mount
- Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
- Управляющий выход: NPN - Open Collector
- Ток питания: 5mA
- Принцип действия: Through-Beam
- Зона чувствительности: 0.079" (2mm)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Sharp Microelectronics
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -25°C ~ 85°C
- Package / Case: 4-SMD
- Response Time: 50µs, 50µs
- Управляющий выход: Phototransistor
- Принцип действия: Through-Beam
- Зона чувствительности: 0.079" (2mm)
- Ток коллектора (макс): 20mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 35V
- Current - DC Forward (If) (Max): 50mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Sharp Microelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -25°C ~ 85°C
- Package / Case: PCB Mount
- Response Time: 50µs, 50µs
- Управляющий выход: Phototransistor
- Принцип действия: Through-Beam
- Зона чувствительности: 0.079" (2mm)
- Ток коллектора (макс): 20mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 35V
- Current - DC Forward (If) (Max): 50mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100