-
- Управляющий выход
- Ток коллектора (макс)
- Граничное напряжение КЭ(макс)
- Current - DC Forward (If) (Max)
- Response Time
- Серия
-
- Производитель: NTE Electronics, Inc
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -25°C ~ 85°C
- Package / Case: PCB Mount
- Response Time: 8µs, 50µs
- Управляющий выход: Phototransistor
- Принцип действия: Through-Beam
- Зона чувствительности: 0.118" (3mm)
- Ток коллектора (макс): 20mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 0.4V
- Current - DC Forward (If) (Max): 50mA
-
- Производитель: NTE Electronics, Inc
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -25°C ~ 85°C
- Package / Case: PCB Mount
- Response Time: 8µs, 50µs
- Управляющий выход: Phototransistor
- Принцип действия: Through-Beam
- Зона чувствительности: 0.118" (3mm)
- Ток коллектора (макс): 20mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 0.4V
- Current - DC Forward (If) (Max): 50mA
-
- Производитель: NTE Electronics, Inc
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 100°C
- Package / Case: PCB Mount
- Response Time: 45µs, 250µs
- Управляющий выход: Phototransistor
- Принцип действия: Through-Beam
- Зона чувствительности: 0.118" (3mm)
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 1V
- Current - DC Forward (If) (Max): 60mA
-
- Производитель: NTE Electronics, Inc
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 100°C
- Package / Case: PCB Mount
- Response Time: 8µs, 50µs
- Управляющий выход: Phototransistor
- Принцип действия: Through-Beam
- Зона чувствительности: 0.118" (3mm)
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 0.4V
- Current - DC Forward (If) (Max): 60mA
- 10
- 15
- 50
- 100