- Package / Case
- Производитель
- Длина волны
- Активная площадь
- Тип диода
-
- Угол обзора
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Color - Enhanced
- Spectral Range
- Responsivity @ nm
- Current - Dark (Typ)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Вид монтажа
|
Длина волны
|
Активная площадь
|
Тип диода
|
Рабочая температура
|
Response Time
|
Угол обзора
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Spectral Range
|
Responsivity @ nm
|
Current - Dark (Typ)
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| C30739ECERH | SI APD SHORT WAVELENGTH ENHANCED | Excelitas Technologies | 2-DIP | Through Hole | 430nm | 5.6mm² | Avalanche | 0°C ~ 50°C | 2ns | 400V | 400nm ~ 700nm | 26 A/W @ 430nm | 1.5nA | C30739ECERH | |
| VTP8651H | SENSOR PHOTODIODE 925NM 2DIP | Excelitas Technologies | 2-DIP | Through Hole | 925nm | 7.45mm² | -40°C ~ 85°C | 50° | 140V | 725nm ~ 1150nm | 0.045 A/W @ 940nm | 30nA | |||
| C30739ECERH-2 | SI APD SHORT WAVELENGTH ENHANCED | Excelitas Technologies | 2-DIP | Through Hole | 430nm | 5.6mm² | Avalanche | 0°C ~ 50°C | 2ns | 450V | 400nm ~ 700nm | 52 A/W @ 430nm | 2nA | C30739ECERH | |
| BPW34S | PHOTODIODE 870 TO 1050 NM | Vishay Semiconductor Opto Division | 2-DIP | Through Hole | 900nm | 7.5mm² | PIN | -40°C ~ 100°C | 130° | 60V | 430nm ~ 1100nm | 2nA | |||
| BPW82 | PHOTODIODE 750 TO 1050 NM | Vishay Semiconductor Opto Division | 2-DIP | Through Hole | 950nm | 7.5mm² | PIN | -40°C ~ 100°C | 100ns | 130° | 60V | 790nm ~ 1050nm | 2nA | ||
| BP104S | SENSOR PHOTODIODE 950NM 2DIP | Vishay Semiconductor Opto Division | 2-DIP | Through Hole | 950nm | 7.5mm² | PIN | -40°C ~ 100°C | 100ns | 130° | 60V | 870nm ~ 1050nm | 2nA |
- 10
- 15
- 50
- 100