- Производитель
- Зона чувствительности
-
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Ток питания
- Управляющий выход
- Принцип действия
- Cable Length
- Ток коллектора (макс)
- Граничное напряжение КЭ(макс)
- Current - DC Forward (If) (Max)
- Response Time
- Степень защиты
- Тип диода
- Мощность - Макс.
- Adjustment Type
- Voltage - Max
- Orientation
- Proximity Detection
- Rise Time (Typ)
- B.P.F. номинальная частота
- Voltage - Output Difference (Typ) @ Distance
- Угол обзора
- Light Source
- Voltage - Output (Typ) @ Distance
- Connection Method
- Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
- Sensing Object
- Color - Enhanced
- Current - Dark (Id) (Max)
- Fall Time (Typ)
- Cell Resistance (Min) @ Dark
- Cell Resistance @ Illuminance
- Spectral Range
- Responsivity @ nm
- Current - Dark (Typ)
- Активная площадь
- Sensing Light
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Тип
|
Вид монтажа
|
Тип выхода
|
Напряжение питания
|
Длина волны
|
Рабочая температура
|
Тип корпуса
|
Тип диода
|
Proximity Detection
|
Обратное постоянное напряжение (Vr) (Max)
|
Spectral Range
|
Responsivity @ nm
|
Current - Dark (Typ)
|
Активная площадь
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
KPDEA005B-56F-B | INGAAS APD 50UM 900-1700NM | CEL | TO-56-3 Lens Top Metal Can | Through Hole | -40°C ~ 85°C | Avalanche | 55V | 900nm ~ 1700nm | 0.95 A/W @ 1310nm, 1.05 A/W @ 1550nm | 20nA | 50µm Dia | ||||||
KPDE150-H45-B | INGAAS PHOTODIODE 1500UM 900-17 | CEL | TO-18-4 Metal Can | Through Hole | -20°C ~ 70°C | 2V | 900nm ~ 1700nm | 0.9 A/W @ 1310nm, 1 A/W @ 1550nm | 1nA | 1.5mm Dia | |||||||
KPDA100P-H8-B | SI APD AVALANCHE PHOTODIODE 1000 | CEL | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can | Through Hole | 780nm | -40°C ~ 85°C | Avalanche | 200V | 400nm ~ 1000nm | 0.45 A/W @ 850nm | 30pA | 1mm Dia | |||||
KPDEA007-56F-B | INGAAS APD 75UM 900-1700NM | CEL | TO-56-3 Lens Top Metal Can | Through Hole | -40°C ~ 85°C | Avalanche | 55V | 900nm ~ 1700nm | 0.9 A/W @ 1310nm, 1.05 A/W @ 1550nm | 15nA | 0.08mm Dia | ||||||
KPDE086S-H85P-B | INGAAS, INAS PD W/THEMO-ELECTRIC | CEL | TO-46-6 Lens Top Metal Can | Through Hole | -40°C ~ 70°C | 20V | 900nm ~ 1700nm | 0.9 A/W @ 1310nm, 1 A/W @ 1550nm | 1nA | 0.86mm² | |||||||
PH5502B2NA1-E4-Y-A | SENSOR OPT 555NM AMBIENT 6SON | CEL | 6-UFDFN | Ambient | Surface Mount | Current | 1.8V ~ 5.5V | 555nm | -30°C ~ 85°C | 6-SON (2.55x1.56) | No |
- 10
- 15
- 50
- 100