Найдено: 1084935
  • NCH 1.8V DRIVE SERIES
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NCH J-FET+BIP NPN
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF MOSFET HEMT 28V 6QFN
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: GaN
    • Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 6-QFN-EP (3x3)
    • Частота: 0Hz ~ 6GHz
    • Номинальное напряжение: 84V
    • Current - Test: 100mA
    • Выходная мощность: 8W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 12dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 10V 800MHZ 6TSSOP
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    • Тип корпуса: 6-TSSOP
    • Частота: 800MHz
    • Номинальное напряжение: 10V
    • Current - Test: 12mA
    • Тип транзистора: N-Channel Dual Gate
    • Усиление: 26dB
    • Voltage - Test: 5V
    • Коэффициент шума: 1.2dB
    • Номинальный ток: 30mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC AMP RF LDMOS H-34288-4
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
    • Тип корпуса: H-34288-4/2
    • Частота: 1.99GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1.9A
    • Выходная мощность: 50W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 19dB
    • Voltage - Test: 30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads
    • Тип корпуса: H-36260-2
    • Частота: 1.99GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1.8A
    • Выходная мощность: 50W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 15.9dB
    • Voltage - Test: 30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET N-CH 14V 30MA SOT143
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Package / Case: SOT-143R
    • Тип корпуса: SOT-143R
    • Частота: 800MHz
    • Номинальное напряжение: 14V
    • Current - Test: 10mA
    • Тип транзистора: N-Channel Dual Gate
    • Voltage - Test: 9V
    • Коэффициент шума: 2dB
    • Номинальный ток: 30mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NCH 4V DRIVE SERIES
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NCH J-FET
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NCH J-FET
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC AMP RF LDMOS
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GAN HEMT 28V 1.8-2.1GHZ
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: GaN
    • Package / Case: 440117
    • Тип корпуса: 440117
    • Частота: 1.8GHz ~ 2.3GHz
    • Номинальное напряжение: 84V
    • Current - Test: 1A
    • Выходная мощность: 240W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 15dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • POWER, N-CHANNEL, MOSFET
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Package / Case: SOT-1110B
    • Тип корпуса: NI1230S-8
    • Частота: 1.88GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 800mA
    • Выходная мощность: 72W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 16dB
    • Voltage - Test: 30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF MOSFET N-CHANNEL DE375
    IXYS-RF
    • Производитель: IXYS-RF
    • Серия: DE
    • Package / Case: 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
    • Тип корпуса: DE375
    • Номинальное напряжение: 1000V
    • Выходная мощность: 940W
    • Тип транзистора: N-Channel
    • Номинальный ток: 12A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC AMP RF LDMOS
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Package / Case: H-37248-4
    • Тип корпуса: H-37248-4
    • Частота: 2.2GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 240mA
    • Выходная мощность: 16W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 17dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: