Найдено: 1084935
  • RF MOSFET N-CHANNEL DE375
    IXYS-RF
    • Производитель: IXYS-RF
    • Серия: DE
    • Package / Case: 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
    • Тип корпуса: DE375
    • Частота: 50MHz
    • Номинальное напряжение: 500V
    • Выходная мощность: 940W
    • Тип транзистора: N-Channel
    • Номинальный ток: 25A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PCH+PCH 2.5V DRIVE SERIES
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • N-CHANNEL POWER MOSFET
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Package / Case: SC-82A, SOT-343
    • Тип корпуса: CMPAK-4
    • Частота: 800MHz
    • Номинальное напряжение: 7V
    • Current - Test: 15mA
    • Тип транзистора: N-Channel Dual Gate
    • Voltage - Test: 5V
    • Коэффициент шума: 2dB
    • Номинальный ток: 40mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC AMP RF LDMOS H-37275-6
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Package / Case: H-37275-6/2
    • Тип корпуса: H-37275-6/2
    • Частота: 1.99GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 2.6A
    • Выходная мощность: 80W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 19dB
    • Voltage - Test: 30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PCH+PNP 1.8V DRIVE SERIES
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF N-CHANNEL MOSFET
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Package / Case: SOT-143R
    • Тип корпуса: PG-SOT143R-4
    • Частота: 800MHz
    • Номинальное напряжение: 12V
    • Тип транзистора: N-Channel
    • Усиление: 22dB
    • Voltage - Test: 9V
    • Коэффициент шума: 1.4dB
    • Номинальный ток: 25mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF MOSFET TRANSISTORS
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC FET RF LDMOS H-34288
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
    • Тип корпуса: H-34288-4/2
    • Частота: 821MHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 2.15A
    • Выходная мощность: 60W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 19.3dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BIP NPN 0.4A 30V
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC AMP RF LDMOS H-37248H-4
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NCH+SBD 1.8V DRIVE SERIES
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NCH+SBD 1.8V DRIVE SERIES
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 350W GAN HEMT 50V 1.2-1.4GHZ FET
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: GaN
    • Package / Case: H-37265J-2
    • Тип корпуса: H-37265J-2
    • Частота: 1.2GHz ~ 1.4GHz
    • Номинальное напряжение: 125V
    • Current - Test: 100mA
    • Выходная мощность: 350W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 20dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NCH 4.5V DRIVE SERIES
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GAN HEMT 50V 1400W 0.96-1.4GHZ
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: GaN
    • Package / Case: H-36275-4
    • Тип корпуса: H-36275-4
    • Частота: 960MHz ~ 1.215GHz
    • Номинальное напряжение: 125V
    • Current - Test: 200mA
    • Выходная мощность: 1400W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 17dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: