• Производитель
  • Частота
    • Номинальный ток
    • Тип транзистора
    • Рабочая температура
    • Тип корпуса
    • Выходная мощность
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Noise Figure (dB Typ @ f)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 2995
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Тип транзистора
Рабочая температура
Тип корпуса
Выходная мощность
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
Усиление
Коэффициент шума
Voltage - Test
Current - Test
Noise Figure (dB Typ @ f)
Серия
BLF6G22-45,135 RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT608A Ampleon USA Inc. SOT-608A 2.11GHz ~ 2.17GHz 65V LDMOS CDFM2 2.5W 18.5dB 28V 405mA
AT-42085G RF TRANS NPN 12V 8GHZ 85 PLASTIC Broadcom Limited 4-SMD (85 Plastic) 80mA 12V 500mW Surface Mount NPN 150°C (TJ) 85 Plastic 30 @ 35mA, 8V 8GHz 9.5dB ~ 13.5dB 2dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz
2SC5010-T1-A RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT523 CEL SOT-523 30mA 6V 125mW Surface Mount NPN 150°C (TJ) SOT-523 75 @ 10mA, 3V 12GHz 8.5dB 1.5dB @ 2GHz
KSC2756YMTF RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR Fairchild Semiconductor TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 30mA 20V 150mW Surface Mount NPN 150°C (TJ) SOT-23-3 120 @ 5mA, 10V 850MHz 15dB ~ 23dB 6.5dB @ 200MHz
BFP620E7764 RF BIPOLAR TRANSISTOR Infineon Technologies SC-82A, SOT-343 80mA 2.8V 185mW Surface Mount NPN 150°C (TJ) PG-SOT343-4 110 @ 50mA, 1.5V 65GHz 21.5dB 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
BFR 949L3 E6327 RF TRANS NPN 10V 9GHZ TSLP-3-1 Infineon Technologies SC-101, SOT-883 50mA 10V 250mW Surface Mount NPN 150°C (TJ) PG-TSLP-3-1 100 @ 5mA, 6V 9GHz 21.5dB 1dB ~ 2.5dB @ 1GHz
MDS140L RF TRANS NPN 70V 1.09GHZ 55AW Microsemi Corporation 55AW 12A 70V 500W Chassis Mount NPN 200°C (TJ) 55AW 20 @ 1A, 5V 1.03GHz ~ 1.09GHz 9.5dB
MS1226 RF TRANS NPN 36V 30MHZ M113 Microsemi Corporation M113 4.5A 36V 80W Chassis Mount NPN 200°C (TJ) M113 10 @ 500mA, 5V 30MHz 18dB
JANTX2N2857 RF TRANS NPN 15V 500MHZ TO72 Microsemi Corporation TO-72-3 Metal Can 40mA 15V 200mW Through Hole NPN -65°C ~ 200°C (TJ) TO-72 30 @ 3mA, 1V 500MHz 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz 4.5dB @ 450MHz Military, MIL-PRF-19500/343
UTV005 RF TRANS NPN 24V 860MHZ 55FT Microsemi Corporation 55FT 750mA 24V 8W Chassis, Stud Mount NPN 200°C (TJ) 55FT 20 @ 100mA, 5V 470MHz ~ 860MHz 11dB
2N5770_D74Z RF TRANS NPN 15V TO92-3 onsemi TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 50mA 15V 350mW Through Hole NPN -55°C ~ 150°C (TJ) TO-92-3 50 @ 8mA, 10V 15dB 6dB @ 60MHz
3LP03SS-TL-E PCH 1.5V DRIVE SERIES Rochester Electronics, LLC
BF1102,115 FET RF 7V 800MHZ 6TSSOP Rochester Electronics, LLC 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 800MHz 7V 40mA N-Channel Dual Gate 6-TSSOP 2dB 5V 15mA
NTD4809NT4H NFET DPAK 30V 58A 9MOHM Rochester Electronics, LLC
3SK255-T2-A RF SMALL SIGNAL TRANS Rochester Electronics, LLC
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Высокочастотные (ВЧ) и сверхвысокочастотные (СВЧ) транзисторы предназначены для обработки сигналов радиочастотного диапазона. К транзисторам предъявляются особые требования относительно входной, выходной и паразитной емкости, которые определяют верхнюю границу частотного диапазона. Наиболее подходящими для радичастотной обработки являются биполярные транзисторы, благодаря низкой емкости базы, переход которой работает в прямом смещении. Однако для сверхвысоких частот новые технологии связаны с применением арсенид-галлиевых полевых транзисторов на высокоподвижных электронах (HEMT). Характеристики этих транзисторов позволяют вести усиление сигналов частотой в сотни гигагерц и проводить усиление мощности терагерцового диапазона. HEMT транзисторы применяются в устройствах радиолокации и радиоэлектронной борьбы, мобильной телефонии, радиоастрономии. HEMT на основе нитрида галлия используются в качестве силовых транзисторов переключения для преобразователей напряжения благодаря их низкому сопротивлению в открытом состоянии, низким потерям переключения и высокой прочности на пробой.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Power - Output (Выходная мощность) — Мощность, которую компонент способен передать без потери своей работоспособности, в пределах рабочих характеристик. Учитывая, что оптимальным условием распределения мощности меджу источником и приемником является равенство их сопротивлений, в идеале следует ожидать, что такая же мощность поступит на следующий за компонентом каскад или узел.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Frequency - Transition (Граничная частота) — Граничная частота коэффициента передачи тока это частота, при которой коэфициент усиления по току в схеме с общим эмиттером равен единице, то есть при которой транзистор теряет усилительные способности. Коэффициент усиления по мощности при этом может быть выше единицы и поэтому применение транзистора на граничной частоте все еще возможно.
Voltage - Rated (Номинальное напряжение) — Номинальное напряжение, это напряжение, при котором компонент сохраняет работоспособность в нормальном режиме с сохранением заявленных характеристик.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.
Current Rating (Amps) (Номинальный ток) — Ток цепи, соответствующий ожидаемой нагрузке электрической цепи и мощности автоматического выключателя, который защищает эту цепь.
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce (Усиление по току (hFE)) — h21Э статический коэффициент передачи по току для схемы с общим эмиттером. Для этого параметра обычно приводится диапазон возможных значений, то есть минимальное и максимальное значения или значение при заданном токе коллектора при определенной температуре.