• Производитель
  • Частота
    • Номинальный ток
    • Тип транзистора
    • Рабочая температура
    • Тип корпуса
    • Выходная мощность
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Noise Figure (dB Typ @ f)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 2995
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Тип транзистора
Рабочая температура
Тип корпуса
Выходная мощность
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
Усиление
Коэффициент шума
Voltage - Test
Current - Test
Noise Figure (dB Typ @ f)
Серия
CP229-2N5109-CT20 RF TRANSISTOR TO-39 Central Semiconductor Corp Die 400mA 20V Surface Mount NPN -65°C ~ 200°C (TJ) Die 40 @ 50mA, 15V 1.2GHz 11dB 3dB @ 200MHz
BFY90 PBFREE RF TRANS NPN 15V 1.4GHZ TO72 Central Semiconductor Corp TO-206AF, TO-72-4 Metal Can 25mA 15V 200mW Through Hole NPN -65°C ~ 200°C (TJ) TO-72 20 @ 25mA, 1V 1.4GHz 23dB 5.5dB @ 800MHz
BFP420H6433XTMA1 RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343 Infineon Technologies SC-82A, SOT-343 35mA 5V 160mW Surface Mount NPN 150°C (TJ) PG-SOT343-3D 60 @ 20mA, 4V 25GHz 21dB 1.1dB @ 1.8GHz
MAPR-002731-115M00 RF TRANS NPN 65V MACOM Technology Solutions 65V 115W Chassis Mount NPN 200°C (TJ) 8.06dB ~ 8.45dB
2N5109 RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO39 Microsemi Corporation TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 400mA 20V 2.5W Through Hole NPN TO-39 40 @ 50mA, 15V 1.2GHz 12dB
MRF5812MR1 TRANS NPN 15V 200MA Microsemi Corporation
4MP10CH-TL-E BIP NPN 0.1A 200V onsemi SC-96 100mA 200V 600mW Surface Mount PNP 3-CPH 60 @ 10mA, 10V 400MHz
KST5179MTF RF TRANS NPN 12V 900MHZ SOT23-3 onsemi TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 50mA 12V 350mW Surface Mount NPN 150°C (TJ) SOT-23-3 25 @ 3mA, 1V 900MHz 15dB 4.5dB @ 200MHz
2SC4095-T1-A NPN TRANSISTOR Renesas Electronics America Inc TO-253-4, TO-253AA 35mA 10V 200mW Surface Mount NPN 150°C (TJ) SOT-143 50 @ 10mA, 6V 10GHz 12dB 1.8dB @ 2GHz
2SK2534-TL-E NCH 10V DRIVE SERIES Rochester Electronics, LLC
MRF8P23080HSR5 POWER, N-CHANNEL, MOSFET Rochester Electronics, LLC NI-780S-4 2.3GHz 65V LDMOS (Dual) NI-780S-4 16W 14.6dB 28V 280mA
2SK1848-TB-E NCH 4V DRIVE SERIES Rochester Electronics, LLC
EC4301C-TL PCH 1.5V DRIVE SERIES Rochester Electronics, LLC
12A01M-TL-E TRANSISTOR Rochester Electronics, LLC
2SC4536-AZ RF TRANSISTOR FOR HIGH FREQUENCY Rochester Electronics, LLC TO-243AA 250mA 15V 2W Surface Mount NPN 150°C (TJ) SOT-89 60 @ 50mA, 10V 7.2dB 2dB @ 1GHz
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Высокочастотные (ВЧ) и сверхвысокочастотные (СВЧ) транзисторы предназначены для обработки сигналов радиочастотного диапазона. К транзисторам предъявляются особые требования относительно входной, выходной и паразитной емкости, которые определяют верхнюю границу частотного диапазона. Наиболее подходящими для радичастотной обработки являются биполярные транзисторы, благодаря низкой емкости базы, переход которой работает в прямом смещении. Однако для сверхвысоких частот новые технологии связаны с применением арсенид-галлиевых полевых транзисторов на высокоподвижных электронах (HEMT). Характеристики этих транзисторов позволяют вести усиление сигналов частотой в сотни гигагерц и проводить усиление мощности терагерцового диапазона. HEMT транзисторы применяются в устройствах радиолокации и радиоэлектронной борьбы, мобильной телефонии, радиоастрономии. HEMT на основе нитрида галлия используются в качестве силовых транзисторов переключения для преобразователей напряжения благодаря их низкому сопротивлению в открытом состоянии, низким потерям переключения и высокой прочности на пробой.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Power - Output (Выходная мощность) — Мощность, которую компонент способен передать без потери своей работоспособности, в пределах рабочих характеристик. Учитывая, что оптимальным условием распределения мощности меджу источником и приемником является равенство их сопротивлений, в идеале следует ожидать, что такая же мощность поступит на следующий за компонентом каскад или узел.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Frequency - Transition (Граничная частота) — Граничная частота коэффициента передачи тока это частота, при которой коэфициент усиления по току в схеме с общим эмиттером равен единице, то есть при которой транзистор теряет усилительные способности. Коэффициент усиления по мощности при этом может быть выше единицы и поэтому применение транзистора на граничной частоте все еще возможно.
Voltage - Rated (Номинальное напряжение) — Номинальное напряжение, это напряжение, при котором компонент сохраняет работоспособность в нормальном режиме с сохранением заявленных характеристик.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.
Current Rating (Amps) (Номинальный ток) — Ток цепи, соответствующий ожидаемой нагрузке электрической цепи и мощности автоматического выключателя, который защищает эту цепь.
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce (Усиление по току (hFE)) — h21Э статический коэффициент передачи по току для схемы с общим эмиттером. Для этого параметра обычно приводится диапазон возможных значений, то есть минимальное и максимальное значения или значение при заданном токе коллектора при определенной температуре.