• Производитель
  • Частота
    • Номинальный ток
    • Тип транзистора
    • Рабочая температура
    • Тип корпуса
    • Выходная мощность
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Noise Figure (dB Typ @ f)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 2995
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Тип транзистора
Рабочая температура
Тип корпуса
Выходная мощность
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
Усиление
Коэффициент шума
Voltage - Test
Current - Test
Noise Figure (dB Typ @ f)
Серия
AT-32063-BLKG RF TRANS 2 NPN 5.5V SOT363 Broadcom Limited 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 32mA 5.5V 150mW Surface Mount 2 NPN (Dual) 150°C (TJ) SOT-363 50 @ 5mA, 2.7V 12.5dB ~ 14.5dB 1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz
2SC5336-AZ RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89 CEL TO-243AA 100mA 12V 1.2W Surface Mount NPN 150°C (TJ) 50 @ 20mA, 10V 6.5GHz 12dB 1.8dB @ 1GHz
CP617-CM4957-CT20 RF TRANSISTOR TO-39 Central Semiconductor Corp
KSC1393OTA RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR Fairchild Semiconductor TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 20mA 30V 250mW Through Hole NPN 150°C (TJ) TO-92-3 60 @ 2mA, 10V 700MHz 20dB ~ 24dB 2dB ~ 3dB @ 200MHz
PH3134-75S RF TRANS NPN 65V MACOM Technology Solutions 8.9A 65V 75W Chassis Mount NPN 200°C (TJ) 7.5dB
BFR92ALT1 RF TRANS 15V 4.5GHZ SOT23 Microsemi Corporation TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 25mA 15V 273mW Surface Mount 150°C SOT-23 40 @ 14mA, 10V 4.5GHz 3dB @ 500MHz
BFS17,215 RF TRANS NPN 15V 1GHZ TO236AB NXP USA Inc. TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 25mA 15V 300mW Surface Mount NPN 150°C (TJ) SOT-23 (TO-236AB) 25 @ 2mA, 1V 1GHz 4.5dB @ 500MHz
BFG25AW/X,115 RF TRANS NPN 5V 5GHZ 4SO NXP USA Inc. SOT-343 Reverse Pinning 6.5mA 5V 500mW Surface Mount NPN 175°C (TJ) 4-SO 50 @ 500µA, 1V 5GHz 1.9dB ~ 2dB @ 1GHz
NSVF4017SG4T1G RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC82FL/ onsemi 4-SMD, Flat Leads 100mA 12V 450mW Surface Mount NPN -55°C ~ 150°C (TJ) SC-82FL/MCPH4 60 @ 50mA, 5V 10GHz 17dB 1.2dB @ 1GHz Automotive, AEC-Q101
KSC1674OBU RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3 onsemi TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 20mA 20V 250mW Through Hole NPN 150°C (TJ) TO-92-3 70 @ 1mA, 6V 600MHz 3dB ~ 5dB @ 100MHz
UPA802T-T1-A RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR Renesas Electronics America Inc 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 65mA 10V 200mW Surface Mount 2 NPN (Dual) 150°C (TJ) SOT-363 70 @ 7mA, 3V 7GHz 12dB 1.4dB @ 1GHz
BFR360L3E6765 LOW-NOISE SI TRANSISTOR Rochester Electronics, LLC SC-101, SOT-883 35mA 9V 210mW Surface Mount NPN 150°C (TJ) PG-TSLP-3-1 90 @ 15mA, 3V 14GHz 11.5dB ~ 16dB 1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
SCH2602-TL-E PCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES Rochester Electronics, LLC
ON5040 ON5040 - RF POWER TRANSISTOR (AM Rochester Electronics, LLC
BF-517 RF TRANSISTOR, NPN Rochester Electronics, LLC
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Высокочастотные (ВЧ) и сверхвысокочастотные (СВЧ) транзисторы предназначены для обработки сигналов радиочастотного диапазона. К транзисторам предъявляются особые требования относительно входной, выходной и паразитной емкости, которые определяют верхнюю границу частотного диапазона. Наиболее подходящими для радичастотной обработки являются биполярные транзисторы, благодаря низкой емкости базы, переход которой работает в прямом смещении. Однако для сверхвысоких частот новые технологии связаны с применением арсенид-галлиевых полевых транзисторов на высокоподвижных электронах (HEMT). Характеристики этих транзисторов позволяют вести усиление сигналов частотой в сотни гигагерц и проводить усиление мощности терагерцового диапазона. HEMT транзисторы применяются в устройствах радиолокации и радиоэлектронной борьбы, мобильной телефонии, радиоастрономии. HEMT на основе нитрида галлия используются в качестве силовых транзисторов переключения для преобразователей напряжения благодаря их низкому сопротивлению в открытом состоянии, низким потерям переключения и высокой прочности на пробой.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Power - Output (Выходная мощность) — Мощность, которую компонент способен передать без потери своей работоспособности, в пределах рабочих характеристик. Учитывая, что оптимальным условием распределения мощности меджу источником и приемником является равенство их сопротивлений, в идеале следует ожидать, что такая же мощность поступит на следующий за компонентом каскад или узел.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Frequency - Transition (Граничная частота) — Граничная частота коэффициента передачи тока это частота, при которой коэфициент усиления по току в схеме с общим эмиттером равен единице, то есть при которой транзистор теряет усилительные способности. Коэффициент усиления по мощности при этом может быть выше единицы и поэтому применение транзистора на граничной частоте все еще возможно.
Voltage - Rated (Номинальное напряжение) — Номинальное напряжение, это напряжение, при котором компонент сохраняет работоспособность в нормальном режиме с сохранением заявленных характеристик.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.
Current Rating (Amps) (Номинальный ток) — Ток цепи, соответствующий ожидаемой нагрузке электрической цепи и мощности автоматического выключателя, который защищает эту цепь.
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce (Усиление по току (hFE)) — h21Э статический коэффициент передачи по току для схемы с общим эмиттером. Для этого параметра обычно приводится диапазон возможных значений, то есть минимальное и максимальное значения или значение при заданном токе коллектора при определенной температуре.