- Производитель
- Частота
-
- Номинальный ток
- Тип транзистора
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Усиление
- Коэффициент шума
- Voltage - Test
- Current - Test
- Noise Figure (dB Typ @ f)
- Серия
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-343F
- Тип корпуса: M05
- Мощность - Макс.: 500mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 5V
- Усиление по току (hFE): 130 @ 15mA, 2V
- Граничная частота: 17GHz
- Усиление: 11dB ~ 19dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 16-SOIC
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: 5 NPN
- Ток коллектора (макс): 65mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 10mA, 2V
- Граничная частота: 8GHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 16-SOIC
- Мощность - Макс.: 85mW
- Тип транзистора: 5 NPN
- Ток коллектора (макс): 20mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
- Усиление по току (hFE): 35 @ 5mA, 6V
- Граничная частота: 1.15GHz
- Усиление: 27dB ~ 30dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-23-6
- Тип корпуса: 6-SOT
- Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
- Ток коллектора (макс): 26mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 9V
- Усиление по току (hFE): 48 @ 10mA, 2V
- Граничная частота: 8.5GHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): 2.4dB @ 1GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT23-3 (TO-236)
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 50mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 20mA, 8V
- Граничная частота: 8.5GHz
- Усиление: 12dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB @ 1GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-82A, SOT-343
- Тип корпуса: SOT-343
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 35mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 10V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 10mA, 6V
- Граничная частота: 10GHz
- Усиление: 9.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 16-SOIC
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: 5 PNP
- Ток коллектора (макс): 65mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 10mA, 2V
- Граничная частота: 5.5GHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-23-6
- Тип корпуса: 6-SOT
- Тип транзистора: 2 PNP (Dual)
- Ток коллектора (макс): 26mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 9V
- Усиление по току (hFE): 15 @ 10mA, 2V
- Граничная частота: 7GHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): 5.2dB @ 900MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 175°C (TJ)
- Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 16-QFN (3x3)
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: 5 NPN
- Ток коллектора (макс): 65mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 10mA, 2V
- Граничная частота: 8GHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 14-SOIC
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: 5 NPN
- Ток коллектора (макс): 65mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 10mA, 2V
- Граничная частота: 8GHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Тип корпуса: SOT-363
- Мощность - Макс.: 200mW
- Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 7mA, 3V
- Граничная частота: 4.5GHz
- Усиление: 9dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 16-SOIC
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: 3 NPN + 2 PNP
- Ток коллектора (макс): 65mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V, 15V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 10mA, 2V / 20 @ 10mA, 2V
- Граничная частота: 8GHz, 5.5GHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-343F
- Тип корпуса: M05
- Мощность - Макс.: 175mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 35mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 5V
- Усиление по току (hFE): 130 @ 5mA, 2V
- Граничная частота: 25GHz
- Усиление: 10dB ~ 17dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 2GHz ~ 5.2GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Renesas Electronics America Inc
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: SOT-323
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 35mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 10V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 5mA, 3V
- Граничная частота: 8GHz
- Усиление: 7.5dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100