• Производитель
  • Частота
Найдено: 71
  • NPN HIGH FREQPOWER AMP
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PNP TRANSISTOR
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT23-3 (TO-236)
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 50mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 20 @ 15mA, 10V
    • Граничная частота: 5.5GHz
    • Усиление: 10dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB @ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS 12/15V 5.5GHZ 16SOIC
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 16-SOIC
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: 3 NPN + 2 PNP
    • Ток коллектора (макс): 65mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V, 15V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 10mA, 2V / 20 @ 10mA, 2V
    • Граничная частота: 8GHz, 5.5GHz
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF 0.035A C BAND GERMANIUM NPN
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
    • Тип корпуса: 4-MFPAK
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 35mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 3.5V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 5mA, 2V
    • Граничная частота: 38GHz
    • Усиление: 8dB ~ 19.5dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16SOIC
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 16-SOIC
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: 5 NPN
    • Ток коллектора (макс): 65mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 10mA, 2V
    • Граничная частота: 8GHz
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS 6 NPN 12V 10GHZ 14SOIC
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 14-SOIC
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: 6 NPN
    • Ток коллектора (макс): 30mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 10mA, 3V
    • Граничная частота: 10GHz
    • Усиление: 12.4dB ~ 17.5dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    • Тип корпуса: SOT-363
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 35mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 10V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 5mA, 3V
    • Граничная частота: 8GHz
    • Усиление: 7.5dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NPN TRANSISTOR
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT23-3 (TO-236)
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 35mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 10V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 10mA, 6V
    • Граничная частота: 10GHz
    • Усиление: 9dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 14SOIC
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 14-SOIC
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: 5 NPN
    • Ток коллектора (макс): 65mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 10mA, 2V
    • Граничная частота: 8GHz
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS 6 NPN 12V 10GHZ 14SOIC
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 14-SOIC
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: 6 NPN
    • Ток коллектора (макс): 30mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 10mA, 3V
    • Граничная частота: 10GHz
    • Усиление: 12.4dB ~ 17.5dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF 0.5A, NPN
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-343F
    • Тип корпуса: SOT-343F
    • Мощность - Макс.: 735mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 500mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 5V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 100mA, 3V
    • Граничная частота: 20GHz
    • Усиление: 6.5dB
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16QFN
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 175°C (TJ)
    • Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 16-QFN (3x3)
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: 5 PNP
    • Ток коллектора (макс): 65mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
    • Усиление по току (hFE): 20 @ 10mA, 2V
    • Граничная частота: 5.5GHz
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16SOIC
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 16-SOIC
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: 5 NPN
    • Ток коллектора (макс): 65mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 10mA, 2V
    • Граничная частота: 8GHz
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS 5NPN 15V 1.15GHZ 16SOIC
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 16-SOIC
    • Мощность - Макс.: 85mW
    • Тип транзистора: 5 NPN
    • Ток коллектора (макс): 20mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
    • Усиление по току (hFE): 35 @ 5mA, 6V
    • Граничная частота: 1.15GHz
    • Усиление: 27dB ~ 30dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF 0.035A, NPN
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-343F
    • Тип корпуса: SOT-343F
    • Мощность - Макс.: 115mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 35mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 3.3V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 5mA, 2V
    • Граничная частота: 25GHz
    • Усиление: 17dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: