• Производитель
  • Частота
Найдено: 71
  • RF BIPOLAR TRANSISTOR
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-343F
    • Тип корпуса: SOT-343F
    • Мощность - Макс.: 205mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 50mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 6V
    • Усиление по току (hFE): 75 @ 20mA, 3V
    • Граничная частота: 15GHz
    • Усиление: 16dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 2GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF 0.1A, ULTRA HIGH FREQ BAND
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-243AA
    • Тип корпуса: SOT-89
    • Мощность - Макс.: 1.2W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 20mA, 10V
    • Граничная частота: 6.5GHz
    • Усиление: 10dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
    • Тип корпуса: 6-Super Lead-Less MiniMold
    • Мощность - Макс.: 130mW
    • Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 5.5V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 5mA, 1V
    • Граничная частота: 6.5GHz
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16SOIC
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 16-SOIC
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: 5 NPN
    • Ток коллектора (макс): 65mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 10mA, 2V
    • Граничная частота: 8GHz
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF 0.1A, ULTRA HIGH FREQ BAND
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
    • Тип корпуса: SOT-143
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 20mA, 10V
    • Граничная частота: 7GHz
    • Усиление: 14.2dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
    • Тип корпуса: SOT-143
    • Мощность - Макс.: 180mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 30mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 6V
    • Усиление по току (hFE): 75 @ 10mA, 3V
    • Граничная частота: 12GHz
    • Усиление: 11dB
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 14SOIC
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 14-SOIC
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: 5 NPN
    • Ток коллектора (макс): 65mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 10mA, 2V
    • Граничная частота: 8GHz
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS 2 NPN 9V 8.5GHZ SOT23-6
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-23-6
    • Тип корпуса: SOT-23-6
    • Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 26mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 9V
    • Усиление по току (hFE): 48 @ 10mA, 2V
    • Граничная частота: 8.5GHz
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 2.4dB @ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16SOIC
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 16-SOIC
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: 5 PNP
    • Ток коллектора (макс): 65mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
    • Усиление по току (hFE): 20 @ 10mA, 2V
    • Граничная частота: 5.5GHz
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16QFN
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 175°C (TJ)
    • Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 16-QFN (3x3)
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: 5 NPN
    • Ток коллектора (макс): 65mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 10mA, 2V
    • Граничная частота: 8GHz
    • Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: