- Производитель
- Частота
-
- Номинальный ток
- Тип транзистора
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Усиление
- Коэффициент шума
- Voltage - Test
- Current - Test
- Noise Figure (dB Typ @ f)
- Серия
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: SC-70
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 50mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 30mA, 5V
- Граничная частота: 4GHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): 2.4dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-343 Reverse Pinning
- Тип корпуса: 4-SO
- Мощность - Макс.: 136mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 40mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 2.8V
- Усиление по току (hFE): 160 @ 10mA, 2V
- Граничная частота: 55GHz
- Усиление: 10dB ~ 24dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 175°C (TJ)
- Package / Case: SOT-343 Reverse Pinning
- Тип корпуса: 4-SO
- Мощность - Макс.: 400mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 250mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 10V
- Усиление по току (hFE): 25 @ 50mA, 5V
- Граничная частота: 1.9GHz
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
- Тип корпуса: SOT-143B
- Мощность - Макс.: 150mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 18mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 5mA, 6V
- Граничная частота: 9GHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: SC-70
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 35mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 30mA, 5V
- Граничная частота: 5GHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23 (TO-236AB)
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 25mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
- Усиление по току (hFE): 25 @ 2mA, 1V
- Граничная частота: 2.8GHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): 2.5dB @ 800MHz
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
- Тип корпуса: SOT-143B
- Мощность - Макс.: 400mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 120mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 40mA, 8V
- Граничная частота: 9GHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.8dB @ 900MHz
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23 (TO-236AB)
- Мощность - Макс.: 450mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 50mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 15mA, 8V
- Граничная частота: 11GHz
- Усиление: 12dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1.8GHz
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 175°C (TJ)
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: SOT-89-3
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 120mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 40mA, 8V
- Граничная частота: 9GHz
- Noise Figure (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.4dB @ 900MHz
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 25mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 67 @ 1mA, 10V
- Граничная частота: 150MHz
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-82A, SOT-343
- Тип корпуса: CMPAK-4
- Мощность - Макс.: 135mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 30mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 4.5V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 25mA, 2V
- Граничная частота: 25GHz
- Усиление: 20dB
- Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz
- 10
- 15
- 50
- 100