• Производитель
  • Частота
Найдено: 354
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Тип транзистора
Тип корпуса
Выходная мощность
Усиление
Коэффициент шума
Voltage - Test
Current - Test
Серия
PTRA084808NF-V1-R5 RF LDMOS FET 550W, 734 - 821MHZ Cree/Wolfspeed HBSOF-6-2 734MHz ~ 821MHz 105V 10µA LDMOS (Dual), Common Source PG-HBSOF-6-2 550W 18.2dB 48V 450mA
PXAC210552ND-V1-R5 RF MOSFET LDMOS DUAL PG-HB1SOF-4 Cree/Wolfspeed PG-HB1SOF-4 1.805GHz ~ 2.17GHz 65V 1µA LDMOS (Dual) PG-HB1SOF-4 52.8W 6.5dB
PXAC260622SC-V1-R250 IC AMP RF LDMOS Cree/Wolfspeed
CGH31240F 240W GAN HEMT 28V 2.7-3.1GHZ FET Cree/Wolfspeed 440201 2.7GHz ~ 3.1GHz 120V HEMT 440201 250W 12dB 28V 1A GaN
PXAC243502FV-V1-R0 IC AMP RF LDMOS H-37275-4 Cree/Wolfspeed H-37275-4 2.4GHz 65V LDMOS H-37275-4 68W 15dB 28V 850mA
PXAC200902FC-V1-R2 RF MOSFET TRANSISTORS Cree/Wolfspeed
CGHV40180P 180W, GAN HEMT, 50V, DC-4.0GHZ, Cree/Wolfspeed 440206 2GHz 125V HEMT 440206 180W 19.8dB 50V 1A GaN
PXFE211507FC-V1-R2 150W, SI LDMOS, 28V, 2110-2170MH Cree/Wolfspeed H-37248G-4/2 2.11GHz ~ 2.17GHz 65V 10µA LDMOS H-37248G-4/2 170W 18dB 28V 900mA
CGHV27015S RF MOSFET HEMT 50V 12DFN Cree/Wolfspeed 12-VFDFN Exposed Pad 6GHz 125V HEMT 12-DFN (4x3) 15W 21dB 50V 60mA GaN
CGHV27200F RF MOSFET HEMT 50V 440162 Cree/Wolfspeed 440162 2.5GHz ~ 2.7GHz 50V 12A HEMT 440162 200W 15dB ~ 16dB 50V 1A GaN
GTVA262701FA-V2-R0 270W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH Cree/Wolfspeed H-87265J-2 2.62GHz ~ 2.69GHz 125V HEMT H-87265J-2 270W 17dB 48V 320mA GaN
CGHV50200F RF MOSFET HEMT 40V 440217 Cree/Wolfspeed 440217 5GHz 125V 17A HEMT 440217 200W 11.8dB 40V 1A GaN
GTVA104001FA-V1-R0 400W GAN HEMT 50V 0.9-1.2GHZ FET Cree/Wolfspeed H-37265J-2 960MHz ~ 1.215GHz 125V HEMT H-37265J-2 400W 19.5dB 50V 100mA GaN
CG2H80060D-GP4 RF DISCRETE Cree/Wolfspeed Die Die
PTFB211503FL-V2-R0 IC AMP RF LDMOS H-34288-4 Cree/Wolfspeed 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 2.17GHz 65V LDMOS H-34288-4/2 32W 18dB 30V 1.2A