-
- Номинальный ток
- Тип транзистора
- Рабочая температура
- Тип корпуса
- Выходная мощность
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Усиление
- Коэффициент шума
- Voltage - Test
- Current - Test
- Noise Figure (dB Typ @ f)
- Серия
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Серия: GaN
- Package / Case: H-37248C-4
- Тип корпуса: H-37248C-4
- Частота: 3.4GHz ~ 3.6GHz
- Номинальное напряжение: 125V
- Current - Test: 200mA
- Выходная мощность: 280W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 13.5dB
- Voltage - Test: 48V
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Серия: GaN
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Die
- Частота: 18GHz
- Номинальное напряжение: 100V
- Current - Test: 30mA
- Выходная мощность: 6W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 17dB
- Voltage - Test: 40V
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
- Тип корпуса: H-34288-4/2
- Частота: 2.17GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 1.2A
- Выходная мощность: 32W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 18dB
- Voltage - Test: 30V
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Серия: GaN
- Package / Case: H-37248-4
- Тип корпуса: H-37248-4
- Частота: 2.62GHz ~ 2.69GHz
- Номинальное напряжение: 125V
- Current - Test: 200mA
- Выходная мощность: 340W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 17dB
- Voltage - Test: 48V
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Package / Case: PG-HB2SOF-8-1
- Тип корпуса: PG-HB2SOF-8-1
- Частота: 2.62GHz ~ 2.69GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 850mA
- Выходная мощность: 57W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 14dB
- Voltage - Test: 28V
- Номинальный ток: 10µA
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Package / Case: H-37275-6/2
- Тип корпуса: H-37275-6/2
- Частота: 1.99GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 2.6A
- Выходная мощность: 80W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 19dB
- Voltage - Test: 30V
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Серия: GaN
- Package / Case: H-37265J-2
- Тип корпуса: H-37265J-2
- Частота: 1.2GHz ~ 1.4GHz
- Номинальное напряжение: 125V
- Current - Test: 100mA
- Выходная мощность: 350W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 20dB
- Voltage - Test: 50V
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Серия: GaN
- Package / Case: H-36275-4
- Тип корпуса: H-36275-4
- Частота: 960MHz ~ 1.215GHz
- Номинальное напряжение: 125V
- Current - Test: 200mA
- Выходная мощность: 1400W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 17dB
- Voltage - Test: 50V
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Серия: GaN
- Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: 6-QFN-EP (3x3)
- Частота: 0Hz ~ 6GHz
- Номинальное напряжение: 84V
- Current - Test: 100mA
- Выходная мощность: 8W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 12dB
- Voltage - Test: 28V
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
- Тип корпуса: H-34288-4/2
- Частота: 1.99GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 1.9A
- Выходная мощность: 50W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 19dB
- Voltage - Test: 30V
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Серия: GaN
- Package / Case: 440117
- Тип корпуса: 440117
- Частота: 1.8GHz ~ 2.3GHz
- Номинальное напряжение: 84V
- Current - Test: 1A
- Выходная мощность: 240W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 15dB
- Voltage - Test: 28V
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Package / Case: H-37248-4
- Тип корпуса: H-37248-4
- Частота: 2.2GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 240mA
- Выходная мощность: 16W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 17dB
- Voltage - Test: 28V
- 10
- 15
- 50
- 100