• 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1022
  • 2N5460_D75Z
    JFET P-CH 40V 0.35W TO92
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Тип канала: P-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 350mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 750mV @ 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PN4391
    SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
    • Мощность - Макс.: 625mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4V @ 1nA
    • Сопротивление канала (On): 30 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PMBFJ176,215
    SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23 (TO-236AB)
    • Тип канала: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 8pF @ 10V (VGS)
    • Мощность - Макс.: 300mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 10nA
    • Сопротивление канала (On): 250 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BSR58
    JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 0.5nA
    • Сопротивление канала (On): 60 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PN4393_D26Z
    JFET N-CH 30V 625MW TO92
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 14pF @ 20V
    • Мощность - Макс.: 625mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 1nA
    • Сопротивление канала (On): 100 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MMBF5434
    JFET N-CH 25V 0.35W SUPERSOT-23
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 10V (VGS)
    • Мощность - Макс.: 350mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 25V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 3nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SST113 SOT-23 3L
    N-CH JFET SWITCHES
    Linear Integrated Systems, Inc.
    • Производитель: Linear Integrated Systems, Inc.
    • Серия: SST113
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 350mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 35V
    • Сопротивление канала (On): 100 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MS2N4092
    JFET
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • J111,126
    JFET N-CH 40V 400MW TO92-3
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 10V (VGS)
    • Мощность - Макс.: 400mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 10V @ 1µA
    • Сопротивление канала (On): 30 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • PN4093
    SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V
    • Мощность - Макс.: 625mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 40V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 20V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1nA
    • Сопротивление канала (On): 80 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BF246B
    JFET N-CH 25V 625MW TO92
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Мощность - Макс.: 625mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 25V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 60mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 10nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • J3A012YXS/T0BY4551
    TRANSISTOR JFET 8PLLCC
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TF208TH-4-TL-H
    JFET N-CH 1MA 100MW VTFP
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 3-SMD, Flat Lead
    • Тип корпуса: VTFP
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 2V
    • Мощность - Макс.: 100mW
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 2V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 100mV @ 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TF218THC-5-TL-H-SY
    N CHANNEL SILICON JFET FOR ELECT
    Sanyo
    • Производитель: Sanyo
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MX2N5116
    N CHANNEL JFET
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-18
    • Тип канала: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 30V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 27pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 500mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 30V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4V @ 1nA
    • Сопротивление канала (On): 175 Ohms
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Полевой транзистор с управляющим pn-переходом — это вид полевого транзистора, в котором область канала, p- или n- типа образует pn-переход c областью затвора. Затвор располагается между стоком и истоком - контактами, соединенными с концами канала. Увеличение обратного напряжения на затворе приводит к вытенению носителей заряда из области затвора, управляя таким образом током, протекающим через канал.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds (Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds) — по сути электрическая емкость затвора, обусловленная конструкцией и топологией полевого транзистора.
Drain to Source Voltage (Vdss) (Напряжение сток-исток (Vdss)) — Напряжение между стоком и истоком при котором полевой транзистор может нормально функционировать. Превышение этого напряжения приводит к лавинному пробою канала, вполне обратимому, если ток не превышает критических значений.
FET Type (Тип канала) — Тип проводимости канала полевого транзистора может быть p- или n- типа и этим определяется полярность напряжения питания, прикладываемого к компоненту.
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id (Напряжение отсечки (VGS off) @ Id) — Напряжение на затворе, при котором проводящий канал максимально обедняется носителями заряда и через канал протекает минимальный ток.
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) (Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS)) — Напряжение пробоя управляющего pn-перехода затвора в полевых JFET полевых транзисторах. Затвор по отношению к каналу и соответственно к стоку в jfet по сути является диодом и все его свйоства и характеристики имеют место и влияют на режимы работы транзистора. Измерение напряжения пробоя проводится при заземленном стоке, соедененном перемычкой с истоком, при подаче на затвор обратного напряжения.
Current Drain (Id) - Max (Ток стока макс (Id)) — Макимальный ток истока, при котором компонент сохраняет работоспособность. В открытом состоянии канал имеет минимальное сопротивление, но его достаточно для нагрева канала от проходящего через него тока. Температура канала зависит от способности отвода тепла через корпус, выводы, радитор, но так или иначе данный параметр следует учитывать при проектировании
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) (Ток стока @ Vds (Vgs=0)) — Ток истока, измеряемый при нулевом напряжении на затворе и указанном напряжении сток-исток. Характеризует силу тока при отсутствии какого либо вляиния затвора.