Полупроводники, Транзисторы, JFET макс мощность 200mW в корпусе USV
-
- Тип канала
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Ток стока @ Vds (Vgs=0)
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
- Сопротивление канала (On)
- Серия
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
- Тип корпуса: USV
- Тип канала: N-Channel
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
- Мощность - Макс.: 200mW
- Ток стока @ Vds (Vgs=0): 6mA @ 10V
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 200mV @ 100nA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
- Тип корпуса: USV
- Тип канала: N-Channel
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
- Мощность - Макс.: 200mW
- Ток стока @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V
- Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 200mV @ 100nA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100