Полупроводники, Транзисторы, JFET макс мощность 360mW в корпусе TO-92

    • Тип канала
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0)
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    • Сопротивление канала (On)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 4
  • J212 TO-92 3L
    JFET AMPLIFIER - SINGLE, N-CH
    Linear Integrated Systems, Inc.
    • Производитель: Linear Integrated Systems, Inc.
    • Серия: J212
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 360mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 25V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4V @ 1nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • J210 TO-92 3L
    JFET AMPLIFIER - SINGLE, N-CH
    Linear Integrated Systems, Inc.
    • Производитель: Linear Integrated Systems, Inc.
    • Серия: J210
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 360mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 25V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • J211 TO-92 3L
    JFET AMPLIFIER - SINGLE, N-CH
    Linear Integrated Systems, Inc.
    • Производитель: Linear Integrated Systems, Inc.
    • Серия: J211
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92
    • Тип канала: N-Channel
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4pF @ 15V
    • Мощность - Макс.: 360mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 25V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 7mA @ 15V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2.5V @ 1nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2N3820
    JFET P-CH 20V 300MA 360MW TO92
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92
    • Тип канала: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 20V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 10V
    • Мощность - Макс.: 360mW
    • Напряжение пробоя затвора (V(BR)GSS): 20V
    • Ток стока @ Vds (Vgs=0): 300mA @ 10V
    • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 8V @ 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100